NCP1250
电流模式PWM
控制器离线
电源
的NCP1250能够高度集成PWM控制器
提供一个坚固,高性能离线式电源中的一个
微小的TSOP -6封装。随着电源电压范围高达28 V,控制器
举办高峰运营的抖动65 kHz或100 kHz的开关电路
电流模式控制。当在次级侧上的功率开始
下降时,控制器自动折回它的开关
频率降低到26千赫的最小水平。作为功率进一步
下山时,器件进入跳周期,同时限制峰值电流。
过功率保护( OPP )是一个困难的工作,特别是当
无负载待机要求驱动转换器的规格。该
专有的集成OPP ,您可以利用的最大
输出功率不只是影响你的待机表现
通过两个外部电阻器。过电压保护输入也
结合在同一个引脚和保护整个电路的情况下
光电耦合器失效或不良开环运行。
最后,基于定时器的短路保护提供了最佳的
保障计划,让您精确地选择保护跳闸点
不管辅助和功率之间的松耦合
绕组。
特点
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1
TSOP6
(SOT236)
SN后缀
CASE 318G
13风格
标记图
25xAYWG
G
1
25x
x
A
Y
W
G
=具体设备守则
= A, 2 , C或D
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
固定频率65或100 kHz的电流模式控制操作
内部和调节过功率保护( OPP )电路
频率折返向下,以26 kHz和跳过周期在轻载
条件
内部斜坡补偿
内部固定为4 ms软启动
100毫秒基于计时器的自动恢复短路保护
在正常和频率折返模式频率抖动
选项为自动恢复或锁定短路保护
OVP输入,以提高耐用性
高达28 V V
CC
手术
300毫安/
500
毫安源出/吸入驱动能力
低于100 mW的待机功耗,在高线
EPS 2.0标准
这些无铅器件
(注:微球可在任一位置)
引脚连接
GND
FB
OPP /锁存
1
2
3
( TOP VIEW )
6
5
4
DRV
V
CC
CS
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
典型应用
AC-DC转换器,用于电视,机顶盒和打印机
离线适配器的笔记本电脑和上网本
半导体元件工业有限责任公司, 2011
2011年10月
启示录7
1
出版订单号:
NCP1250/D
NCP1250
VBULK
.
.
OVP
VO ü牛逼
OPP
.
NCP1250
1
2
3
6
5
4
坡道
比较。
图1.典型的应用实例
销N5
1
2
3
引脚名称
GND
FB
OPP / OVP
功能
反馈引脚
调整过功率保护
闭锁部分
电流检测+坡道
赔偿金
供应控制器
驱动器输出
该控制器接地。
挂钩光耦合器集电极到该引脚将使监管。
从辅助绕组至此引脚的电阻分压器设置OPP
补偿水平。当上述3 V带,部分被完全锁定
关。
该引脚监视初级峰值电流,也提供了一种手段,
引入斜坡补偿。
该引脚被连接到外部辅助电压并供给
控制器。
驱动器的输出向外部MOSFET的栅极。
引脚说明
4
5
6
CS
V
CC
DRV
选项
调节器
NCP1250ASN65T1G
NCP1250BSN65T1G
NCP1250ASN100T1G
NCP1250BSN100T1G
频率
65千赫
65千赫
100千赫
100千赫
OCP锁
是的
No
是的
No
OCP自动恢复
No
是的
No
是的
订购信息
设备
NCP1250ASN65T1G
NCP1250BSN65T1G
NCP1250ASN100T1G
NCP1250BSN100T1G
包装标志
25A
252
25C
25D
OCP保护
LATCH
自动恢复
LATCH
自动恢复
开关频率
65千赫
65千赫
100千赫
100千赫
TSOP6
(无铅)
3000 /
磁带&卷轴
包
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
NCP1250
OPP
600纳秒的时间
不变
Vcc和逻辑
管理
嗝
VDD
动力
上电复位
UVLO
Vlatch
OVP
哪里去了?
加计数器
RST
4
IpFlag
S
Q
Q
VDD
RLIM
ISCR
VCC
R
电源
RESET
频率
调制
1us
消隐
65
100千赫
时钟
S
Q
Q
钳
R
频率
折返
Vfold
DRV
Vskip
RRAMP
VDD
RFB
4毫秒
SS
在软启动被激活:
启动顺序
自动恢复连拍模式
IpFlag
/ 4.2
FB
VFB < 1.05 V ?设定值= 250 mV的
VOPP
CS
LEB
250毫伏
峰值电流
FREEZE
+
VLIMIT + VOPP
GND
VLIMIT
图2.内部电路架构
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3
NCP1250
最大额定值表
符号
V
CC
V
DRVtran
IOPP
I
SCR
R
qJA
T
, MAX
等级
电源电压,V
CC
针,连续电压
最大DRV脚电压时, DRV在H状态,瞬态电压(注1 )
低电源引脚CS , FB和OPP最大电压
最大注入负电流流入的OPP引脚(引脚3)
最大连续电流为V
CC
销,而在锁定模式
热阻结到空气
最高结温
存储温度范围
ESD能力,人体模型( HBM ) ,所有引脚
ESD能力,机器模型( MM )
价值
28
V
CC
+ 0.3
0.3
10
2
3
360
150
60
+150
2
200
单位
V
V
V
mA
mA
° C / W
C
C
kV
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.瞬变电压的电压尖峰注入DRV销在高状态下。最大瞬态持续时间为100 ns 。
2.此设备系列包含ESD保护和超过以下测试:每MIL-STD- 883 ,方法3015人体模型2000伏。
机模型法200 V.
3.该器件包含闭锁保护和超过每JEDEC标准JESD78百毫安。
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4
NCP1250
电气特性
(对于典型值T
J
= 25 ℃,最小/最大值T
J
=
40C
至+ 125°C ,最大牛逼
J
= 150℃ ,V
CC
= 12伏,除非另有说明)
符号
等级
针
民
典型值
最大
单位
供电部分
(为了获得最佳的效率性能,我们推荐V
CC
低于20 V)的
VCC
ON
VCC
(分钟)
VCC
HYST
V
齐纳
ICC1
ICC2
ICC3
ICC2
ICC3
ICC
LATCH
V
CC
在此驱动脉冲被授权提高水平
V
CC
在此驱动脉冲停止下降水平
滞后的Vcc
ON
VCC
(分钟)
钳位V
CC
当锁存关闭/突发模式激活@我
CC
= 500
mA
启动电流
IC内部消费与我
FB
= 50
毫安,
F
SW
= 65千赫和C
L
= 0 nF的
IC内部消费与我
FB
= 50
毫安,
F
SW
= 65千赫和C
L
= 1 nF的
IC内部消费与我
FB
= 50
毫安,
F
SW
= 100千赫和C
L
= 0 nF的
IC内部消费与我
FB
= 50
毫安,
F
SW
= 100千赫和C
L
= 1 nF的
电流流入V
CC
销,保持锁存器(注4 )
T
J
=
40C
至+ 125°C
T
J
= 0 ° C至+ 125°C
IC内部消费,而在跳周期(V
CC
= 12 V ,驱动一个典型的6 A / 600 V
MOSFET )
串联在闩可控硅的限流电阻
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
40
32
550
4.0
1.4
2.1
1.7
3.1
16
8.2
6.0
7.0
15
2.2
3.0
2.5
4.0
18
8.8
20
9.4
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
ICCSTBY
R
LIM
T
r
T
f
R
OH
R
OL
I
来源
I
SINK
V
DRVlow
V
DRVhigh
I
IB
V
Limit1
V
Limit2
V
折
V
FREEZE
T
DEL
T
LEB
TSS
IOPPo
IOOPv
IOOPv
IOPPs
5
5
mA
kW
输出驱动器
输出电压上升时间@
L
= 1 nF的,输出信号的10-90%
输出电压的下降时间@
L
= 1 nF的,输出信号的10-90%
源电阻
沉电阻
峰源电流,V
GS
= 0 V - (注5)
峰值灌电流,V
GS
= 12 V - (注5)
在V DRV引脚电平
CC
接近VCC
(分钟)
一个33千瓦的电阻到GND
在V DRV引脚电平
CC
= 28 V - DRV卸载
输入偏置电流@在第4针0.8 V输入电平
最大内部电流设定值 - T的
J
= 25C - 引脚3接地
最大内部电流设定值 - T的
J
=
40C
至125C - 引脚3接地
缺省内部电压设定点频率折返跳变点 - V的45 %
极限
V的内部峰值电流设定点冻结( [ 31 %
极限
)
传播延迟,从目前检测到门关闭状态
前沿消隐时间
内部软启动时间启动时,自动恢复启动
设定点下降为销3偏压到-250毫伏 - (注6)
电压给定值的3脚偏向于
250
毫伏 - (注6 ) ,T
J
= 25C
电压给定值的3脚偏向于
250
毫伏 - (注6 ) ,T
J
=
40C
至125℃
设定值减少为3脚接地
6
6
6
6
6
6
6
6
8.0
10
12
14
40
30
13
6.0
300
500
ns
ns
W
W
mA
mA
V
V
电流比较器
4
4
4
3
3
4
4
3
3
3
3
0.51
0.50
0.744
0.72
0.02
0.8
0.8
357
250
100
300
4.0
31.3
0.55
0.55
0
0.60
0.62
150
0.856
0.88
mA
V
V
mV
mV
ns
ns
ms
%
V
V
%
内部振荡器
f
OSC
f
OSC
D
最大
振荡频率( 65 kHz的版本)
振荡频率( 100 kHz的版本)
最大占空比
61
92
76
65
100
80
71
108
84
千赫
千赫
%
http://onsemi.com
5