初步
热阻
[10]
参数
θJA
θJC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循标准测试
方法和程序
测量热阻抗，每
EIA / JESD51 。
TQFP封装
待定
待定
CY7C1338G
BGA封装
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
电容
[10]
参数
C
IN
C
CLK
C
I / O
描述
输入电容
时钟输入电容
输入/输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
DD
= 3.3V. V
DDQ
= 3.3V
TQFP封装
5
5
5
BGA封装单位
5
5
7
pF
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3V的I / O负载测试
产量
Z
0
= 50
3.3V
产量
R
L
= 50
5 pF的
R = 351
R = 317
所有的输入脉冲
V
DDQ
10%
GND
≤
1ns
90%
90%
10%
≤
1ns
V
T
= 1.5V
2.5V的I / O负载测试
产量
Z
0
= 50
(a)
INCLUDING
夹具
范围
2.5V
(b)
R = 1667
V
DDQ
10%
(c)
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤
1ns
产量
R
L
= 50
5 pF的
R =1538
V
T
= 1.25V
INCLUDING
夹具
范围
GND
≤
1ns
(a)
(b)
(c)
开关特性
在整个工作范围
[11, 12, 13, 14, 15, 16]
133兆赫
参数
t
动力
时钟
t
CYC
t
CH
t
CL
输出时间
t
CDV
t
DOH
数据输出有效CLK上升后
数据输出保持CLK上升后
2.0
6.5
2.0
7.5
2.0
8.0
ns
ns
时钟周期时间
时钟高
时钟低
7.5
2.5
2.5
8.5
3.0
3.0
10
4.0
4.0
ns
ns
ns
描述
V
DD
（典型值）的第一接入
[11]
117兆赫
分钟。
1
马克斯。
100兆赫
分钟。
1
马克斯。
单位
ms
分钟。
1
马克斯。
阴影区域包含预览。
注意事项：
10.测试的任何设计或工艺变更可能会影响这些参数之后。
11.这部分有一个电压调节器内部;吨
动力
是电力需要高于V被提供的时间
DD
（最小）开始之前，读或写操作
可以启动。
12. t
CHZ
, t
CLZ
,t
OELZ
和叔
OEHZ
指定用在交流测试负载（b）部分示出的AC测试条件。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
13.在任何给定的电压和温度，叔
OEHZ
小于吨
OELZ
和T
CHZ
小于吨
CLZ
共享相同的时，以消除静态存储器之间的总线争用
数据总线。这些规范并不意味着一个总线争用条件，但反映出保证在最坏的情况下，用户的条件参数。装置的设计
以实现高阻抗之前从低到Z中的相同的系统条件下进行。
14.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
15.时序参考电平为1.5V时， V
DDQ
= 3.3V和1.25V是当V
DDQ
= 2.5V.
在交流测试负载（一），除非另有说明，所示的16的试验条件。
文件编号： 38-05521修订版**
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