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初步
单写访问发起ADSC
当满足下列条件，这写访问权限启动
满足于时钟的上升： （ 1 ） CE
1
，CE
2
和CE
3
都断言
活跃的， （ 2 ） ADSC为低电平， （ 3 ） ADSP被拉高
高，和（4）的写输入信号（毛重， BWE ，和体重
[A ：D ]
)
表示写访问。 ADSC被忽略，如果ADSP活跃
低。
给出的地址被加载到地址寄存器
并且该数据串计数器/控制逻辑和递送到
内存核心。呈现给DQ的信息
[A ：D ]
会
写入到指定的地址位置。字节写操作
允许的。在字节写入， BW
A
控制DQ
A
， BW
B
控制
DQ
B
， BW
C
控制DQ
C
和BW
D
控制DQ
D
。所有I / O都
三态时写被检测到，甚至一个字节写操作。由于这
是一种常见的I / O设备，异步OE输入信号
应被撤消，并在I / O的必须是三态的前
演示数据的DQS 。为安全起见，该数据
线被三态一旦写周期被检测，而不管
对OE的状态。
突发序列
该CY7C1338G提供一个片上2位的环绕
在SRAM内爆计数器。该数据串计数器是由供给
A [ 1：0] ，并且可以按照线性或交错猝发顺序。
脉冲串顺序由MODE输入的状态来确定。
一个低电平模式选择线性突发序列。一个高
在模式选择交错突发秩序。离开
MODE悬空会导致设备默认为一个接口
阔叶爆序列。
睡眠模式
CY7C1338G
ZZ的输入引脚是一个异步输入。断言ZZ
放置的SRAM中一个节电“睡眠”模式。两
时钟周期都需要从这个“休眠”进入或退出
模式。在此模式下，数据的完整性是有保证。
访问时进入“睡眠”模式挂起并不是
认为是有效的，也不是完成操作
保证。该设备必须在进入之前，取消
在“睡眠”模式。 CE上， ADSP和ADSC必须保持
处于非活动状态吨的持续时间
ZZREC
在ZZ输入后回报
低。
交错突发地址表
（ MODE =浮动或V
DD
)
第一次
地址
A1, A0
00
01
10
11
第二
地址
A1, A0
01
00
11
10
第三
地址
A1, A0
10
11
00
01
第四
地址
A1, A0
11
10
01
00
线性突发地址表（ MODE = GND）
第一次
地址
A
1
, A
0
00
01
10
11
第二
地址
A
1
, A
0
01
10
11
00
第三
地址
A
1
, A
0
10
11
00
01
第四
地址
A
1
, A
0
11
00
01
10
ZZ模式电气特性
参数
I
DDZZ
t
ZZS
t
ZZREC
t
ZZI
t
RZZI
描述
贪睡模式，待机电流
设备操作ZZ
ZZ恢复时间
ZZ积极打盹电流
ZZ不活跃，退出当前贪睡
测试条件
ZZ > V
DD
– 0.2V
ZZ > V
DD
– 0.2V
ZZ < 0.2V
此参数被采样
此参数被采样
0
2t
CYC
2t
CYC
分钟。
马克斯。
40
2t
CYC
单位
mA
ns
ns
ns
ns
文件编号： 38-05521修订版**
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