数据表
MOS场效应
2SJ357
P沟道MOS场效应管高速开关
该2SJ357是一个P沟道纵型MOS场效应管，可以是
用作开关元件。该2SJ357可以直接
由驱动IC工作在5 V.
该2SJ357功能的导通电阻和出色的低
切换特性，并适合于应用
如致动器驱动器和DC / DC转换器。
封装图（单位：mm ）
5.7 ±0.1
2.0 ±0.2
1.5 ±0.1
特点
1.0
1
0.5 ±0.1
2
3
新型紧凑型封装
有包装的小信号和优势
功率晶体管，并补偿那些处于不利
TAGES
可通过IC可以直接驱动5 V工作
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.35
MAX 。 @V
GS
= -4 V，I
D
= –1.5 A
R
DS （ ON）
= 0.20
MAX 。 @V
GS
= -10 V，I
D
= –1.5 A
0.5 ±0.1
2.1
0.4 ±0.05
0.85 ±0.1
4.2
等效电路
漏极（四）
电极连接
1.源
2.内部排水
二极管
3.门
标记： UA1
栅极（G ）
门保护
二极管
源极（S ）
质量等级
标准
请参考"Quality等级NEC半导体Devices" （文档编号C11531E ）发表
NEC公司知道质量等级的设备和推荐应用的规范。
绝对最大额定值（T
A
= +25
°
C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
PW
≤
10毫秒
占空比
≤
1 %
安装在为7.5cm的陶瓷板
2
×
0.7 mm
V
GS
= 0
V
DS
= 0
条件
评级
–30
–20/+10
–/+3.0
–/+6.0
单位
V
V
A
A
总功率损耗
通道温度
储存温度
P
T
T
ch
T
英镑
3.65 ±0.1
0.55
2.0
150
-55到+150
5.4 ±0.25
W
°C
°C
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当此
设备的实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定电压
可应用于该设备。
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一号文件D10803EJ3V0DS00 （第3版）
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发布日期1999年1月 CP （ K）
日本印刷
1994
