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数据表

MOS场效应

2SJ357

P沟道MOS场效应管高速开关

该2SJ357是一个P沟道纵型MOS场效应管，可以是

用作开关元件。该2SJ357可以直接

由驱动IC工作在5 V.

该2SJ357功能的导通电阻和出色的低

切换特性，并适合于应用

如致动器驱动器和DC / DC转换器。

封装图（单位：mm ）

5.7 ±0.1

2.0 ±0.2

1.5 ±0.1

特点

1.0

0.5 ±0.1

新型紧凑型封装

有包装的小信号和优势

功率晶体管，并补偿那些处于不利

TAGES

可通过IC可以直接驱动5 V工作

低导通电阻

DS （ ON）

= 0.35

MAX 。 @V

= -4 V，I

= –1.5 A

DS （ ON）

= 0.20

MAX 。 @V

= -10 V，I

= –1.5 A

0.5 ±0.1

2.1

0.4 ±0.05

0.85 ±0.1

4.2

等效电路

漏极（四）

电极连接

1.源

2.内部排水

二极管

3.门

标记： UA1

栅极（G ）

门保护

二极管

源极（S ）

质量等级

标准

请参考"Quality等级NEC半导体Devices" （文档编号C11531E ）发表

NEC公司知道质量等级的设备和推荐应用的规范。

绝对最大额定值（T

= +25

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

符号

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

≤

10毫秒

占空比

≤

1 %

安装在为7.5cm的陶瓷板

0.7 mm

= 0

条件

评级

–30

–20/+10

–/+3.0

–/+6.0

单位

总功率损耗

通道温度

储存温度

英镑

3.65 ±0.1

0.55

2.0

150

-55到+150

5.4 ±0.25

°C

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当此

设备的实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定电压

可应用于该设备。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。

一号文件D10803EJ3V0DS00 （第3版）

（上一页第TC- 2490 ）

发布日期1999年1月 CP （ K）

日本印刷

1994

2SJ357

电气规格（T

= +25

参数

漏关断电流

栅极漏电流

栅极截止电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

输出电容

反馈电容

接通时间延迟

上升时间

关闭时间延迟

下降时间

门输入充电

门源Chanrge

栅极 - 漏极电荷

内部二极管反向

恢复时间

内部二极管反向

恢复电荷

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS(on)1

DS(on)2

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= –24 V,

= –10 V,

= -3.1 A，I

= -2毫安

= 3.0 A

的di / dt = 50A /

= -25 V，I

= –1.5 A

GS （ ON）

= –10 V

= 10

= 17

条件

= –30 V, V

= 0

= –16/+10 V, V

= 0

= -10 V，I

= -1毫安

= -10 V，I

= –1.0 A

= -4 V，I

= –1.5 A

= -10 V，I

= –1.5 A

= –10 V, V

= 0,

F = 1.0 MHz的

–1.0

1.8

0.23

0.12

645

500

275

145

170

25.1

2.0

9.8

112

0.35

0.20

–1.5

分钟。

典型值。

马克斯。

–10

–/+10

–2.0

单位

106

特性曲线（T

= +25

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

的dT - 降额因子 - ％

- 漏电流 - 一个

正向偏置安全工作区

–10

–5

–2

–1

–0.5

–0.2

–0.1

-0.05单脉冲

–0.5 –1

–2

100

125

150

–5 –10

–20

–50 –100

- 环境温度 - °C

- 漏极至源极电压 - V

数据表D10803EJ3V0DS00

2SJ357

漏电流与

漏源极电压

–10

脉冲

- 漏电流 - 一个

传输特性

–10 V

= –10 V

脉冲

–1

- 漏极电流-A

–8

–1

–4

= 150 °C

–0.1

–0.01

–0.001

= –25 °C

= 0 °C

= 25 °C

= 75 °C

–6

–4.0

–3.5 V

–4

–3.0 V

–2

–2.5 V

= –2.0 V

–0.0001

–4

–5

–0.00001

–1

–2

–3

–1

–2

–3

–4

- 漏极至源极电压 - V

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

- 栅极至源极电压 - V

漏极至源极导通电阻与

排水CURRINT

0.5

= –4 V

脉冲

150 ° （C T）

= 75 °C

0.4

正向转移导纳主场迎战

漏电流

| - 转发传输Admittence - S

= –10 V

脉冲

= –25 °C

0.3

0.2

0.1

= 0 °C

= 25 °C

= 75 °C

0.01

= 150 °C

0.1

= 25 °C

= 0 °C

= –25 °C

–10

0.001

–0.0001

–0.001

–0.01

–0.1

–1

–0.001

- 漏电流 - 一个

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

–0.01

–0.1

–1

- 漏电流 - 一个

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

漏极至源极导通电阻与

漏电流

0.3

= –10 V

脉冲

150 ° （C T）

= 75 °C

0.2

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

0.6

脉冲

0.4

= 3.0 A

0.1

0.2

= 25 °C

–0.001

–0.01

= 0 °C

–0.1

= –25 °C

–1

–10

= 1.5 A

–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –18 –20

- 栅极至源极电压 - V

- 漏电流 - 一个

数据表D10803EJ3V0DS00

2SJ357

源极到漏极二极管

正向电压

–10

- 二极管正向电流 - 一个

电容与

漏源极电压

10000

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

= 0

脉冲

= 0

F = 1 MHz的

国际空间站

–1

–0.1

1000

–0.01

100

RSS

OSS

–0.001

–0.0001

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

–1.2

–1

–10

- 漏极至源极电压 - V

反向恢复时间对比

二极管的正向电流

1000

- 反向恢复时间 - NS

–100

- 源极到漏极电压 - V

开关特性

D（上）

, t

D（关闭）

, t

- 开关时间 - NS

1000

= –25 V

GS （ ON）

= –10 V

= 0

的di / dt = 50A /

100

D（关闭）

100

D（上）

0.1

- 漏电流 - 一个

–0.05 –0.1

–0.5

–1

–5

–10

- 二极管正向电流 - 一个

号（j -a）的

- 瞬态热阻 - ° C / Ω

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

100

单脉冲

采用陶瓷板

为7.5cm

0.7 mm

0.1

10 m

100 m

PW - 脉冲宽度 - S

100

数据表D10803EJ3V0DS00

2SJ357

[备忘录]

数据表D10803EJ3V0DS00