摩托罗拉
半导体技术资料
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通过2N6282 / D
达林顿互补
硅功率晶体管
。 。 。设计用于一般用途的放大器和低频开关的应用
系统蒸发散。
高直流电流增益@ IC = 10位ADC -
的hFE = 2400（典型值） - 2N6282 ， 2N6283 ， 2N6284
的hFE
= 4000 （典型值） - 2N6285 ， 2N6286 ， 2N6287
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - 2N6282 ， 2N6285
VCEO （ SUS）
= 80伏直流（最小值） - 2N6283 ， 2N6286
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - 2N6284 ， 2N6287
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
*最大额定值
等级
2N6282
THRU
2N6284*
PNP
2N6285
THRU
2N6287*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N6282
2N6285
60
60
2N6283
2N6286
80
80
2N6284
2N6287
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
20
40
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
0.5
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
PD
160
0.915
瓦
W/
_
C
TJ ， TSTG
- 65至+ 200
达林顿
20安培
补充
硅
功率晶体管
60 ， 80 ， 100伏
160瓦
_
C
*热特性
特征
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
符号
R
θJC
最大
单位
热阻，结到外壳
1.09
_
C / W
*表示JEDEC注册的数据。
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
100
125
75
150
TC ，外壳温度（ ° C）
175
200
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
