INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N6282 /六千二百八十四分之六千二百八十三
高
直流电流增益
达林顿
应用
For
在一般用途的放大器的使用和
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6285 2N6286 2N6287
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6285
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6286
2N6287
2N6285
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6286
2N6287
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-60
-80
-100
-60
-80
-100
-5
-20
-40
-0.5
160
200
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6285 2N6286 2N6287
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ，
2N6287 （ PNP ）
首选设备
达林顿互补
硅功率晶体管
这些包被设计为通用放大器和
低频开关应用。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益@我
C
= 10位ADC
h
FE
= 2400 （典型值）
2N6284
= 4000 （典型值）
2N6287
集电极 - 发射极耐受电压
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值）
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
无铅包可用*
最大额定值
（注1 ）
等级
集电极 - 发射极电压
2N6286
2N6284/87
2N6286
2N6284/87
符号
V
首席执行官
价值
80
100
80
100
5.0
20
40
0.5
160
0.915
65
到+ 200
单位
VDC
20安培
其他芯片
功率晶体管
100伏， 160瓦
集热器
例
BASE
1
发射器2
标记图
VDC
1
2N628xG
Ayyww
MEX
集电极 - 基极电压
V
CB
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度
范围
V
EB
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
°C
2
TO- 204AA （TO- 3）
案例1-07
风格1
2N628x
G
A
YY
WW
MEX
热特性
（注1 ）
特征
热阻，结到外壳
符号
R
QJC
最大
1.09
单位
° C / W
=器件代码
X = 4,6或7
= Pb-Free包装
=地点代码
=年
=工作周
=国家的由来
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表示JEDEC注册的数据。
订购信息
设备
2N6284
2N6284G
2N6286
2N6286G
2N6287
包
TO3
TO3
（无铅）
TO3
TO3
（无铅）
TO3
TO3
（无铅）
航运
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2N6287G
2008年9月，
第4版
1
出版订单号：
2N6284/D
2.表示JEDEC注册的数据。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％
动态特性
基本特征
（注3）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明） （注2 ）
小信号电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 40 MADC ）
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 20 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 150_C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 0.1 ADC ，我
B
= 0)
特征
PD ，功耗（瓦）
100
120
140
160
20
40
60
80
2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）
0
0
25
图1.功率降额
75
150
50
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
http://onsemi.com
2N6286
2N6284, 2N6287
2N6284
2N6286, 2N6287
V
CEO （ SUS ）
175
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
|h
fe
|
C
ob
h
FE
h
fe
200
民
300
750
100
100
4.0
2
80
18,000
最大
400
600
4.0
2.8
2.0
3.0
2.0
0.5
5.0
1.0
1.0
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复型例如，
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
V
2
约
V
CC
- 30 V
R
C
TUT
范围
R
B
51
D
1
[
8.0 k
[
50
+ 8.0 V
0
V
1
约
- 12 V
25
ms
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
+ 4.0 V
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有极性
图2.开关时间测试电路
10
7.0
5.0
3.0
T， TIME （
μ
s)
2.0
t
s
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
t
f
1.0
0.7
0.5
t
r
0.3 V
CC
= 30 V直流
I /I = 250
0.2
C B
I
B1
= I
B2
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
中T = 25℃
0.1
J
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
0.2 0.3
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
图3.开关时间
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.09 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200 300
500
1000
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
图4.热响应
http://onsemi.com
3
2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）
有源区的安全工作区
50
0.1毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ T
C
= 25°C
单脉冲
0.5毫秒
1.0毫秒
dc
T
J
= 200°C
5.0
10
20
50
100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比以10％以下
T
J（下PK）
< 200_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. 2N6284 ， 2N6287
10,000
HFE ，小信号电流增益
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
1.0
2.0
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
5.0 10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
T
J
= 25°C
V
CE
= 3.0伏
I
C
= 10 A
图6.小信号电流增益
1000
T
J
= 25°C
700
C，电容（pF ）
500
C
ib
C
ob
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
100
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
300
200
图7.电容
http://onsemi.com
4
2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）
NPN
2N6284
20,000
V
CE
= 3.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
T
J
= 150°C
10,000
7000
5000
25°C
3000
2000
1000
700
500
300
0.2 0.3
- 55°C
30,000
20,000
PNP
2N6287
V
CE
= 3.0 V
T
J
= 150°C
25°C
- 55°C
0.2 0.3
5.0 7.0 10
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 5.0 A
10 A
15 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 5.0 A
2.2
10 A
15 A
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50
图9.集电极饱和区
3.0
T
J
= 25°C
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.5
3.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
2.0
1.5
1.5
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.0
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.0
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
http://onsemi.com
5
2N6285
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在双极PNP设备
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 60V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 20A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
20
单位
V
A
-
Hz
@ 3/10 (V
CE
/ I
C
)
750
4M
18000
160
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
技术参数
PNP达林顿功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百○五分之一万九千五
器件
2N6286
2N6287
资质等级
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
(1)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
0
2N6286
-80
-80
2N6287
-100
-100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
0
C / W
@ T
C
= +25
0
C
@ T
C
= +100
0
C
操作&存储结温范围
-7.0
-0.5
-20
175
87.5
-65到+175
马克斯。
0.857
热特性
特征
热阻，结到外壳
TO-3*
(TO-204AA)
*请参阅附录A
包装外形
1)
线性降额@ 1.17 W / C上面的牛逼
C
> + 25℃
电气特性（T
C
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
0
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -100 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= -40伏直流
V
CE
= -50伏直流
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= -80伏直流，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= -100伏，V
BE
= 1.5 VDC
发射基截止电流
V
EB
= -7.0伏
2N6286
2N6287
2N6286
2N6287
2N6286
2N6287
V
（ BR ）
首席执行官
-80
-100
-1.0
-1.0
-0.5
-0.5
-2.5
VDC
I
首席执行官
MADC
I
CEX
I
EBO
MADC
ADC
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N6286 ， 2N6287 JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(2)
正向电流传输比
I
C
= -1.0 ADC ，V
CE
= -3.0伏
I
C
= -10 ADC ，V
CE
= -3.0伏
I
C
= -20 ADC ，V
CE
= -3.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -20 ADC ，我
B
= -200 MADC
I
C
= -10 ADC ，我
B
= -40 MADC
基射极饱和电压
I
C
= -20 ADC ，我
B
= -200 MADC
基射极电压
I
C
= -10 ADC ，V
CE
= -3.0伏
h
FE
1,500
1,250
300
18,000
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
-3.0
-2.0
-4.0
-2.8
VDC
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= -10 ADC ，V
CE
= -3.0伏F = 1.0 MHz的
小信号短路正向电流传输比
I
C
= -10 ADC ，V
CE
= -3.0伏
输出电容
V
CB
= -10伏直流，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
h
fe
C
敖包
8.0
300
400
pF
80
开关特性
开启时间
V
CC
= -30伏直流;我
C
= -10 ADC ;我
B
= -40 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= -30伏直流;我
C
= -10 ADC ;我
B1
= I
B2
= -40 MADC
t
on
2.0
10
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C， 1个周期，T = 1.0秒
测试1
V
CE
= -8.75伏，我
C
= -20 ADC
所有类型
测试2
V
CE
= -30伏直流，我
C
= -5.8 ADC
所有类型
测试3
V
CE
= -80伏直流，我
C
= -100 MADC
2N6286
V
CE
= -100伏，我
C
= -100 MADC
2N6287
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％
*电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
小信号电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 40 MADC ）
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 20 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 150_C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 0.1 ADC ，我
B
= 0)
特征
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
http://onsemi.com
2N6283, 2N6284
2N6286, 2N6287
2N6283, 2N6286
2N6284, 2N6287
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
|h
fe
|
C
ob
h
FE
h
fe
民
300
750
100
100
4.0
2
80
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
18,000
–
最大
400
600
4.0
2.8
2.0
3.0
2.0
0.5
5.0
1.0
1.0
–
–
–
–
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
–
–
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
V
CC
- 30 V
R
C
TUT
范围
10
7.0
5.0
3.0
T， TIME （
s)
2.0
1.0
0.7
0.5
t
f
t
r
t
s
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复型例如，
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
V
2
约
R
B
51
D
1
[
8.0 k
+ 8.0 V
0
V
1
[
50
约
- 12 V
25
s
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
+ 4.0 V
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有极性
0.3 V
CC
= 30 V直流
I /I = 250
0.2
C B
I
B1
= I
B2
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
中T = 25℃
0.1
J
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
0.2 0.3
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.09 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
R
θJC
(t)
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
P
（ PK）
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200 300
500
1000
图4.热响应
http://onsemi.com
3
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
有源区的安全工作区
50
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ T
C
= 25°C
单脉冲
0.1毫秒
0.5毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
T
J
= 200°C
dc
0.05
5.0
10
20
50
100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
– V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
＆ LT ;
200_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图4中计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. 2N6284 ， 2N6287
10,000
HFE ，小信号电流增益
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
1.0
2.0
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
5.0 10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
T
J
= 25°C
V
CE
= 3.0伏
I
C
= 10 A
1000
700
C，电容（pF ）
500
C
ib
C
ob
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
100
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
T
J
= 25°C
300
200
图6.小信号电流增益
图7.电容
http://onsemi.com
4
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
NPN
2N6284
20,000
10,000
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
30,000
20,000
的hFE ， DC电流增益
10,000
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
0.2 0.3
V
CE
= 3.0 V
T
J
= 150°C
PNP
2N6287
V
CE
= 3.0 V
T
J
= 150°C
25°C
-55°C
25°C
-55°C
0.2 0.3
5.0 7.0 10
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
T
J
= 25°C
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.5 0.7 1.0
I
C
= 5.0 A
10 A
15 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
3.0
T
J
= 25°C
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
I
C
= 5.0 A
10 A
15 A
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50
图9.集电极饱和区
3.0
T
J
= 25°C
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
3.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
http://onsemi.com
5
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·补键入2N6282 /六千二百八十四分之六千二百八十三
·高直流电流增益
·
达林顿
应用
·对于通用放大器使用，
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6285 2N6286 2N6287
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2N6285
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6286
2N6287
2N6285
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6286
2N6287
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-60
-80
-100
-60
-80
-100
-5
-20
-40
-0.5
160
200
-65~200
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6285 2N6286 2N6287
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N6282 /六千二百八十四分之六千二百八十三
高
直流电流增益
达林顿
应用
For
在一般用途的放大器的使用和
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6285 2N6286 2N6287
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
条件
2N6285
2N6286
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
的HAn
C
ES
G
2N6287
2N6285
2N6286
2N6287
发射极开路
ICO
EM
OR
UCT
ND
价值
-60
-80
-100
-60
-80
-100
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
-5
-20
-40
-0.5
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
160
200
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6285 2N6286 2N6287
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
ON Semiconductort
NPN
达林顿互补
硅功率晶体管
。 。 。设计用于一般用途的放大器和低频
开关应用。
2N6283
2N6284
PNP
高直流电流增益@我
C
= 10位ADC
2N6286
2N6287
达林顿
20安培
补充
硅
功率晶体管
100伏
160瓦
h
FE
= 2400 （典型值）
2N6284
= 4000 （典型值）
2N6287
集电极 - 发射极耐受电压
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值）
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
Symbo
l
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
PD ，功耗（瓦）
等级
*最大额定值
2N6283
2N6286
80
80
2N6284
2N6287
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
20
40
集电极电流
连续
PEAK
基极电流
0.5
案例1-07
TO204AA
(TO3)
器件总功耗@ T
C
=
25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
160
0.915
瓦
W / ℃，
_C
T
J
,T
英镑
65
到+ 200
*热特性
特征
符号
R
θJC
最大
单位
热阻，结到外壳
*表示JEDEC注册的数据。
1.09
° C / W
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
75
150
50
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
1
175
200
图1.功率降额
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第2版
出版订单号：
2N6284/D
小信号电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
μs,
占空比= 2 ％
*电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 40 MADC ）
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 20 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 150_C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 0.1 ADC ，我
B
= 0)
特征
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
http://onsemi.com
2N6283, 2N6284
2N6286, 2N6287
2N6283, 2N6286
2N6284, 2N6287
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
|h
fe
|
C
ob
h
FE
h
fe
民
300
750
100
100
4.0
2
80
18,000
最大
400
600
4.0
2.8
2.0
3.0
2.0
0.5
5.0
1.0
1.0
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
V
CC
30 V
R
C
TUT
10
7.0
5.0
3.0
T， TIME （
μ
s)
范围
2.0
t
f
1.0
0.7
0.5
0.3 V
CC
= 30 V直流
I /I = 250
0.2
C B
I
B1
= I
B2
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
中T = 25℃
0.1
J
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
0.2 0.3
I
C
，集电极电流（ AMP ）
t
r
t
s
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复型例如，
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
V
2
约
R
B
51
D
1
[
8.0 k
[
50
+ 8.0 V
0
V
1
约
12 V
25
μs
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
+ 4.0 V
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有极性
20
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.09 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
θJC
(t)
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200 300
500
1000
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
图4.热响应
http://onsemi.com
3
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
有源区的安全工作区
50
0.1毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ T
C
= 25°C
单脉冲
0.5毫秒
1.0毫秒
dc
T
J
= 200°C
5.0
10
20
50
100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
＆ LT ;
200_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图4中计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. 2N6284 ， 2N6287
10,000
的hFE ，小信号电流增益
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
1.0
2.0
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
5.0 10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
T
J
= 25°C
V
CE
= 3.0伏
I
C
= 10 A
1000
T
J
= 25°C
700
C，电容（pF ）
500
C
ib
C
ob
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
100
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
300
200
图6.小信号电流增益
图7.电容
http://onsemi.com
4
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
NPN
2N6284
20,000
V
CE
= 3.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
T
J
= 150°C
10,000
7000
5000
25°C
3000
2000
1000
700
500
300
0.2 0.3
55
°C
30,000
20,000
PNP
2N6287
V
CE
= 3.0 V
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
0.2 0.3
5.0 7.0 10
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 5.0 A
10 A
15 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 5.0 A
2.2
10 A
15 A
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50
图9.集电极饱和区
3.0
T
J
= 25°C
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.5
3.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
2.0
1.5
1.5
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.0
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.0
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
http://onsemi.com
5
功率晶体管
TO- 3案（续）
型号
IC
(A)
最大
10
10
10
10
15
15
PD
(W)
125
175
175
175
115
150
160
160
160
125
125
125
117
100
100
100
125
125
125
125
100
100
125
125
175
175
100
120
120
120
150
150
150
BVCBO
(V)
民
110
300
375
450
55
100
60
80
100
500
600
700
50
40
60
80
50
50
70
90
650
850
650
850
650
850
45
60
90
120
350
400
450
BVCEO
(V)
民
100
200
275
350
45
80
60
80
100
250
300
350
40
40
60
80
40
40
60
80
300
400
300
400
300
400
40
60
90
120
300
350
400
的hFE
* TYP
民
20
10
8.0
6.0
20
20
750
750
750
15
15
12
15
最大
100
50
50
50
70
70
@ IC VCE （ SAT ）
(A)
5.0
10
10
10
3.0
5.0
(V)
最大
3.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.5
3.5
3.5
3.5
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
@ IC
(A)
10
10
10
10
15
15
20
20
20
8.0
8.0
8.0
16
10
10
10
15
15
15
15
3.0
3.0
8.0
5.0
10
10
4.0
15
15
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6249
2N6250
2N6251
2N6253
2N6254
2N6282
2N6283
2N6284
2N6306
2N6307
2N6308
2N6371
2N6383
2N6384
2N6385
2N6470
2N6471
2N6472
2N6542
2N6543
2N6544
2N6545
2N6546
2N6547
2N6569
2N6576
2N6577
2N6578
2N6671
2N6672
2N6673
PNP
2N6248
fT
* TYP
（兆赫）
民
4.0
2.5
2.5
2.5
4.0
--
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
4.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
2.5
6.0
6.0
6.0
15
15
15
2N6285
2N6286
2N6287
20
20
20
8.0
8.0
8.0
15
18,000 10
18,000 10
18,000 10
75
75
60
60
8.0
8.0
8.0
8.0
2N6648
2N6649
2N6650
2N6469
10
10
10
15
15
15
15
5.0
5.0
8.0
8.0
15
15
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
20
20
20
20
7.0
7.0
7.0
7.0
12
12
15
150
150
150
150
35
35
35
35
60
60
200
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
2N6594
12
15
15
15
8.0
8.0
8.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
10
10
10
40
40
40
--
--
--
阴影部分表示达林顿。
83
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2881677436 复制
