硅结场效应晶体管(小信号)
2SK2751
硅n沟道FET的结
为在低频率阻抗变换
热释电传感器
0.65±0.15
+0.2
单位:mm
0.65±0.15
2.8
–0.3
1.5
–0.05
+0.25
s
特点
q
低噪声系数(NF )
q
高栅漏电压V
GDO
q
迷你型封装,允许套的小型化和自动
插入通过纸带/杂志填料。
0.95
2.9
–0.05
1
1.9±0.2
+0.2
0.95
3
0.4
–0.05
+0.1
2
1.45
1.1
–0.1
参数
栅漏电压
漏电流
栅电流
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
V
GDS
I
D
I
G
P
D
T
ch
T
英镑
评级
40
10
2
200
150
55
+150
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
1 :源
2 :排水
3 :门
JEDEC : TO- 236
EIAJ : SC- 59
迷你型包装( 3针)
标记符号: HS
s
电气特性
( TA = 25 ± 3 ° C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
栅漏电压
栅极到源截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GDS
V
GSC
| Y
fs
|
C
OSS
条件
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
GS
=
20V,
V
DS
= 0
I
G
=
100A,
V
DS
= 0
V
DS
= 10V ,我
D
= 1A
V
DS
= 10V ,我
D
= 1μA , F = 1kHz时
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
2.5
5
1
1
40
3.5
民
1.4
典型值
最大
4.7
1
单位
mA
nA
V
V
mS
pF
pF
pF
输入电容(共源)C
国际空间站
输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
RSS
注:测试方法符合JISC7030 ,场效应晶体管的测试方法。
0-0.1
s
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.8
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
1
UTC 2SK2751
N沟道结型FET
特点
*低噪声系数(NF ) 。
*高栅漏电压V
GDO
.
N沟道JFET
应用
*对于低频阻抗变换。
*对于热释电传感器。
1
2
标记符号
3
HS
SOT-23
1 :排水
2 :源
3 :门
绝对最大额定值
(Ta=25℃)
参数
栅漏电压
漏电流
栅电流
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
V
GDS
I
D
I
G
P
D
T
ch
T
英镑
评级
-40
10
2
200
150
-55 ~ +150
单位
V
mA
mA
mW
℃
℃
电气特性
( TA = 25 ± 3 ℃ ,除非另有规定)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
栅漏电压
栅极到源截止电压
正向转移导纳
输入电容(共源)
输出电容(共源)
反向传输电容
(共源)
符号
I
DSS
I
GSS
V
GDS
V
GSC
| Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
V
DS
=10V, V
GS
=0
V
GS
=-20V, V
DS
=0
I
G
= -100μA ,V
DS
=0
V
DS
= 10V ,我
D
=1μA
V
DS
=10V, V
GS
= 0中,f = 1KHz的
V
DS
=10V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
民
1.4
-40
典型值
最大
4.7
-1
-3.5
单位
mA
nA
V
V
mS
pF
pF
pF
2.5
5
1
1
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD 。
1
QW-R206-067,B
UTC 2SK2751
典型CHARSACTERISTICS
P
D
- TA
250
12
N沟道JFET
I
D
- V
DS
Ta=25℃
允许功耗,P
D
( mW)的
200
漏电流,我
D
(MA )
10
8
150
V
GS
=0.6V
6
0.4V
4
0.2V
0V
-0.2V
100
50
2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
环境温度TA ( ℃ )
6
V
DS
=10V
5
75℃
漏电流,我
D
(MA )
4
2
4
6
10
8
漏源电压,V
DS
(V)
12
I
D
- V
GS
Ta=-25℃
25℃
正向转移导纳,Y
fs
(女士)
12
YFS - V
GS
V
DS
=10V
10
8
3
6
2
4
2
1
0
-1
-0.6
-0.2
0.2
0.6
1
0
-1.6
门源电压,V
GS
(V)
-1.2
-0.4
0
-0.8
门源电压,V
GS
(V)
0.4
12
YFS - 我
D
V
DS
=25V
Ta=25℃
正向转移导纳,Y
fs
(女士)
10
8
6
4
2
0
0
1
3
4
2
5
漏电流,我
D
(MA )
6
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD 。
2
QW-R206-067,B
UTC 2SK2751
N沟道JFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD 。
3
QW-R206-067,B
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2SK2751
N沟道结型FET
特点
*低噪声系数(NF ) 。
*高栅漏电压V
GDO
.
N沟道JFET
应用
*对于低频阻抗变换。
*对于热释电传感器。
*无铅电镀产品编号: 2SK2751L
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
2SK2751-AE3-R
2SK2751L-AE3-R
2SK2751-AL3-R
2SK2751L-AL3-R
包
SOT-23
SOT-323
引脚分配
1
2
3
D
S
G
D
S
G
填料
带盘
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2007 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R206-087.C
2SK2751
绝对最大额定值
( TA = 25℃ )
参数
N沟道JFET
符号
评级
单位
栅 - 漏电压
V
GDS
-40
V
漏电流
I
D
10
mA
栅电流
I
G
2
mA
允许功耗
P
D
200
mW
通道温度
T
CH
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
( TA = 25 ± 3 ℃ ,除非另有规定)
参数
栅 - 漏电压
栅极 - 源极截止电压
漏极 - 源极截止电流
栅极 - 源极漏电流
正向转移导纳
输入电容(共源)
输出电容(共源)
反向传输电容
(共源)
符号
V
GDS
V
GSC
I
DSS
I
GSS
| Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
I
G
= -100μA ,V
DS
=0
V
DS
= 10V ,我
D
=1A
V
DS
=10V, V
GS
=0
V
GS
=-20V, V
DS
=0
V
DS
=10V, V
GS
= 0中,f = 1KHz的
V
DS
=10V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
民
-40
1.4
2.5
5
1
1
典型值
最大
-3.5
4.7
-1
单位
V
V
mA
nA
mS
pF
pF
pF
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R206-067.C
2SK2751
典型特征
电源Dissipatio - 环境温度
250
12
N沟道JFET
漏极电流与漏源电压
Ta=25°C
200
10
8
150
6
100
4
50
V
GS
=0.6V
0.4V
0.2V
0V
-0.2V
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
2
环境温度TA ( ℃ )
漏极电流与栅极至源极电压
6
8
4
6
10
漏源电压,V
DS
(V)
12
V
DS
=10V
5
Ta=-25℃
25℃
正向转移导纳主场迎战栅极至源极电压
12
V
DS
=10V
10
75℃
4
8
3
6
2
4
1
2
0
-1
-0.6
-0.2
0.2
0.6
1
0
-1.6
门源电压,V
GS
(V)
正向转移导纳主场迎战漏电流
V
DS
=25V
Ta=25℃
-1.2
0
-0.8
-0.4
门源电压,V
GS
(V)
0.4
12
10
8
6
4
2
0
0
1
4
2
3
漏电流,我
D
(MA )
5
6
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R206-067.C
2SK2751
N沟道JFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
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QW-R206-067.C