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4GB DIMM注册
基于1Gb的M-模具184PIN DIMM注册（ X4）
订购信息
产品型号
M312L5128MT0-CA2/B0/A0
密度
4GB
组织
512M X 72
DDR SDRAM
部件组成
st.512Mx4 （ K4H2G0638M ） * 18EA
Heihgt
1,200mil
工作频率
B3(DDR333@CL=2.5)
速度@ CL2
速度@ CL2.5
CL- tRCD的-TRP
133MHz
166MHz
2.5-3-3
A2(DDR266@CL=2)
133MHz
133MHz
2-3-3
B0(DDR266@CL=2.5)
100MHz
133MHz
2.5-3-3
特征
电源： VDD： 2.5V
±
0.2V ， VDDQ ： 2.5V
±
0.2V
双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输
双向数据选通（ DQS ）
差分时钟输入（ CK和CK ）
DLL对齐DQ和DQS与CK过渡转型
可编程只读延迟2 ， 2.5 （时钟）
可编程突发长度（ 2 ， 4 ， 8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入
自动&自我刷新， 7.8us刷新间隔（ 8K / 64ms的刷新）
tRFC （刷新行周期时间） = 120ns的
??串行存在检测与EEPROM
1,200mil高度&双面
三星电子有限公司保留变更产品规格，恕不另行通知。
修订版0.4日。 2004年
