飞利浦半导体
产品数据
80C51的8位微控制器系列
8KB / 16KB / 32KB / 64KB OTP
与512B / 1KB RAM ，低电压（ 2.7 5.5V） ，低功耗，高
速度（ 30/33兆赫）
P87C51RA2/RB2/RC2/RD2
DC电气特性
T
AMB
= 0
°C
+70
°C
或-40
°C
+85
°C;
V
CC
= 2.7 V至5.5 V ;
V
SS
= 0 V （ 16 MHz的最大CPU时钟）
符号
参数
TEST
条件
4.0 V < V
CC
＆ LT ; 5.5 V
2.7 V＆ LT ; V
CC
＆ LT ; 4.0 V
V
IH
V
IH1
V
OL
V
OL1
V
OH
V
OH1
I
IL
I
TL
I
LI
I
CC
输入高电压（端口0，1， 2，3， EA）的
输入高电压， XTAL1 ，
RST
11
V
CC
= 2.7 V ;我
OL
= 1.6毫安
2
V
CC
= 2.7 V ;我
OL
= 3.2毫安
2
V
CC
= 2.7 V ;我
OH
= –20
mA
V
CC
= 4.5 V ;我
OH
= –30
mA
输出高电压（端口0的外部总线V
CC
= 2.7 V ;我
OH
= -3.2毫安
模式） ， ALE
9
， PSEN
3
逻辑0输入电流，端口1 ， 2 ， 3
逻辑1到0跳变电流，港口1 ， 2 ， 3
6
输入漏电流，端口0
电源电流（参见图41和
源代码） ：
主动模式@ 16兆赫
空闲模式@ 16兆赫
掉电模式或时钟停止
（参见图37为条件）
12
V
内存
R
RST
C
IO
RAM保持电压
内部复位下拉电阻
针
电容
10
（ EA除外）
T
AMB
= 0
°C
70
°C
T
AMB
= –40
°C
+85
°C
1.2
40
–
225
15
2
3
30
50
mA
mA
mA
mA
V
k
pF
V
IN
= 0.4 V
V
IN
= 2.0 V ;见注4
0.45 ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
– 0.3
3
范围
民
典型值
1
最大
0.2 V
CC
–0.1
0.7 V
CC
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
0.4
0.4
–
–
–
–50
–650
±10
单位
V
IL
输入低电压
11
–0.5
–0.5
0.2 V
CC
+0.9
0.7 V
CC
–
–
V
CC
– 0.7
V
CC
– 0.7
V
CC
– 0.7
–1
–
–
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
输出电压低，端口1 ， 2 ，
8
输出低电压，端口0 ， ALE ， PSEN
8, 7
输出高电压，端口1 ， 2 ， 3
注意事项：
1.典型的收视率都不能保证。列出的值是基于在室温下对样品数量有限，进行测试。
2.容性负载，端口0和2会引起寄生噪声对V至叠加
OL
ALE的s和端口1和3的噪音
由于外部总线电容放电到端口0和端口2引脚时，这些引脚进行期间公交运营1到0的转换。
在最坏的情况下（容性负载> 100 pF）时，在ALE引脚的噪声脉冲可以大于0.8V。在这种情况下，可能需要对
合格的ALE带施密特触发器，或者使用一个地址锁存器与施密特触发器选通输入。我
OL
可以提供超过这些条件
没有一个单一的输出汇超过5 mA和不超过两个输出超过了试验条件。
3.容性负载，端口0和2可能会导致V
OH
在ALE和PSEN暂时低于该V
CC
-0.7规范时，
地址位稳定。
4.销端口1,2和3的源时，它们被从外部驱动的1到0的跳变电流的过渡电流达到其
最大值当V
IN
大约2 V.
5.请参阅图43至46的我
CC
试验条件和图41为我
CC
与频率的关系
12时钟模式的特点：
主动模式（工作） ：我
CC
= 1.0 MA + 1.1毫安
×
FREQ 。 [兆赫]
活动模式（复位） ：
I
CC
= 7.0 MA + 0.6毫安
FREQ 。 [兆赫]
FREQ 。 [兆赫]
空闲模式：
I
CC
= 1.0 MA + 0.22毫安
6.该值适用于给T
AMB
= 0
°C
+70
°C.
对于T
AMB
= –40
°C
+85
°C,
I
TL
= –750
毫安。
7.负载电容端口0 ， ALE ， PSEN和= 100 pF的负载电容为所有其它输出= 80 pF的。
8.在稳态（非瞬态）的条件下，我
OL
必须从外部限制如下：
15毫安（ *注：这是85
°C
规范。 ）
我最大
OL
每个端口引脚：
我最大
OL
每8位端口：
26毫安
71毫安
最大总I
OL
所有输出：
如果我
OL
超过测试条件，V
OL
可能超过相应的规格。不保证引脚吸收电流大于上市
测试条件。
9. ALE的测试，以V
OH1
，除了当ALE为关闭，然后V
OH
是电压特定网络连接的阳离子。
10.管脚电容的特点是，未经测试。销电容小于25 pF的。陶瓷封装的管脚电容小于15 pF的
（除了EA为25 pF的） 。
11.为了提高噪声抑制标称100 ns的瞬态抑制电路已被添加到RST引脚，标称15纳秒瞬态抑制
电路已被添加到INT0和INT1引脚。以前的设备只能提供一种内在的5纳秒的毛刺排斥。
12.掉电模式3 V范围：商业级温度范围 - 典型值： 0.5
毫安，
马克斯。 20
毫安;
工业级温度范围 - 典型值。 1.0
毫安，
最大。三十
毫安;
2003年01月24
44
