飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
PHP3N50E ， PHB3N50E
15
VGS ，栅源电压（伏）
ID = 3.4
TJ = 25℃
240 V
100 V
PHP3N50
20
IF ，源极 - 漏极二极管的电流（安培）
VGS = 0 V
PHP3N50
VDD = 400 V
15
10
10
150 C
5
TJ = 25℃
5
0
0
10
20
QG ，栅极电荷（ NC）
30
40
0
0
0.5
1
VSDS ，源极 - 漏极电压（伏特）
1.5
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;参数V
DS
图16 。源极 - 漏极二极管特性。
I
F
= F（V
SDS
） ;参数T
j
1000
开关时间（纳秒）
VDD = 250 V
VGS = 10 V
RD = 68欧姆
TJ = 25℃
PHP3N50
10
非重复性雪崩电流， IAS （ A）
TJ前雪崩= 25℃
100
TD （关闭）
tf
tr
10
TD （上）
ID
1
VDS
tp
125 C
PHP3N50E
1
0.1
1E-06
0
10
20
30
40
RG ，栅极电阻（欧姆）
50
60
1E-05
1E-04
雪崩的时候， TP （S ）
1E-03
1E-02
图14 。典型的开关时间;吨
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
= F （r
G
)
图17 。最大允许非重复
雪崩电流（I
AS
）与雪崩时间（t
p
);
非钳位感性负载
1.15
1.1
1.05
归一化漏源击穿电压
V（ BR ） DSS @ TJ
V（ BR ） DSS @ 25℃
10
最大重复性雪崩电流， IAR （ A）
1
1
0.95
0.9
0.85
-100
TJ前雪崩= 25℃
125 C
0.1
PHP3N50E
0.01
1E-06
-50
0
50
TJ ，结温（ C）
100
150
1E-05
1E-04
雪崩的时候， TP （S ）
1E-03
1E-02
图15 。归一化漏源击穿电压;
V
（ BR ） DSS
/V
（ BR ） DSS 25 C
= F （T
j
)
图18 。最大允许重复雪崩
电流（I
AR
）与雪崩时间（t
p
)
1998年12月
6
启1.200
