飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
雪崩能量极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
E
AS
非重复性雪崩
能源
条件
PHP3N50E ， PHB3N50E
分钟。
-
马克斯。
212
单位
mJ
E
AR
I
AS
, I
AR
非钳位感性负载时，我
AS
= 2.1 A;
t
p
= 0.31毫秒;牛逼
j
雪崩= 25之前;
V
DD
≤
50 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;参考
图： 17
重复性雪崩能量
1
I
AR
= 3.4 A;吨
p
= 2.5
s;
T
j
之前
雪崩= 25 ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
参阅图18
重复和不重复
雪崩电流
-
-
5.5
3.4
mJ
A
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
分钟。
-
SOT78封装，在自由空气
SOT404封装，PCB安装，最小值
脚印
-
-
典型值。马克斯。单位
-
60
50
1.5
-
-
K / W
K / W
K / W
1
限制T的脉冲宽度和重复频率
j
马克斯。
1998年12月
2
启1.200
