飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
漏源击穿
电压
V
（ BR ） DSS
/漏极 - 源极击穿
T
j
电压温度
系数
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
V
GS （ TO ）
栅极阈值电压
正向跨导
g
fs
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
I
GSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
（ BR ） DSS
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
PHP4N40E ， PHB4N40E
分钟。
400
-
-
2.0
1.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
0.1
1.3
3.0
2.2
1
30
10
26
2
14
10
30
55
38
3.5
4.5
7.5
310
60
36
-
-
1.8
4.0
-
25
250
200
30
4
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
%/K
V
S
A
A
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.2 A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 30 V ;我
D
= 2.2 A
V
DS
= 400 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 C
栅极 - 源极漏电流V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 4.4 A; V
DD
= 320 V; V
GS
= 10 V
V
DD
= 200 V ;
D
= 47
;
R
G
= 18
从测得的标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
（ SOT78封装）
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
mb
= 25C
T
mb
= 25C
I
S
= 4.4 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 4.4 A; V
GS
= 0 V ;的di / dt = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
250
2.2
4.4
18
1.2
-
-
A
A
V
ns
C
1998年12月
3
启1.200
