【飞利浦半导体产品speci fi cation功率MOS晶体管额定雪崩能量特点额定重复性雪崩快速开关】,IC型号PHP4N40E,PHP4N40E PDF资料,PHP4N40E经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

额定雪崩能量

特点

额定重复性雪崩

快速开关

稳定的关闭状态特性

高的热循环性能

低热阻

PHP4N40E ， PHB4N40E

符号

快速参考数据

DSS

= 400 V

= 4.4 A

DS （ ON）

≤

1.8

概述

的N-沟道增强型场效应功率晶体管，用于在离线使用开关式电源，

T.V.和电脑显示器电源，直流以直流转换器，电机控制电路和通用切换

应用程序。

该PHP4N40E是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。

该PHB4N40E是在SOT404表面安装封装。

钉扎

针

TAB

门

漏

来源

描述

SOT78 （ TO220AB ）

TAB

SOT404

TAB

漏

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

DSS

DGR

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

存储温度范围

条件

= 25 °C至150°C

= 25 °C至150°C ;

= 20 k

= 25 ℃; V

= 10 V

= 100℃ ; V

= 10 V

= 25 C

分钟。

- 55

马克斯。

400

4.4

2.7

150

单位

1998年12月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

额定雪崩能量

雪崩能量极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

非重复性雪崩

能源

条件

PHP4N40E ， PHB4N40E

分钟。

马克斯。

195

单位

, I

非钳位感性负载时，我

= 2.7 A;

= 0.28毫秒;牛逼

雪崩= 25之前;

≤

50 V ;

= 50

;

= 10 V ;参考

图： 17

重复性雪崩能量

= 4.4 A;吨

= 2.5

之前

雪崩= 25 ;

= 50

;

= 10 V;

参阅图18

重复和不重复

雪崩电流

5.7

4.4

热阻

符号参数

日J- MB

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

分钟。

SOT78封装，在自由空气

SOT404封装，PCB安装，最小值

脚印

典型值。马克斯。单位

1.5

K / W

限制T的脉冲宽度和重复频率

马克斯。

1998年12月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

额定雪崩能量

电气特性

= 25 C除非另有说明

符号参数

漏源击穿

电压

（ BR ） DSS

/漏极 - 源极击穿

电压温度

系数

DS （ ON）

漏源导通电阻

GS （ TO ）

栅极阈值电压

正向跨导

DSS

漏极 - 源极漏电流

GSS

G（ TOT ）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

（ BR ） DSS

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安

= V

; I

= 0.25毫安

PHP4N40E ， PHB4N40E

分钟。

400

2.0

1.3

典型值。马克斯。单位

0.1

1.3

3.0

2.2

3.5

4.5

7.5

310

1.8

4.0

250

200

%/K

= 10 V ;我

= 2.2 A

= V

; I

= 0.25毫安

= 30 V ;我

= 2.2 A

= 400 V; V

= 0 V

= 320 V; V

= 0 V ;牛逼

= 125 C

栅极 - 源极漏电流V

±30

V; V

= 0 V

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

= 4.4 A; V

= 320 V; V

= 10 V

= 200 V ;

= 47

;

= 18

从测得的标签，模具中心

从测得的漏导致的模具中心

（ SOT78封装）

从源铅源测量

焊盘

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

源极 - 漏极二极管额定值和特性

= 25 C除非另有说明

符号参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

= 25C

= 4.4 A; V

= 0 V

= 4.4 A; V

= 0 V ;的di / dt = 100 A / μs的

分钟。

典型值。马克斯。单位

250

2.2

4.4

1.2

1998年12月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

额定雪崩能量

PHP4N40E ， PHB4N40E

120

110

100

PD ％

归一化功率降额

第i个J- MB ，瞬态热阻抗（K / W）

PHP2N60

1 D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01单脉冲

D = P

100ms

100

TMB / C

120

140

0.001

1us

10us

100us

1ms

10ms

TP ，脉冲宽度（S ）

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

D 25 C

= F （T

)

ID％

归一化电流降额

图4 。瞬态热阻抗。

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

PHP4N40

10 V

6.5 V

5.5 V

VGS = 4.5 V

120

110

100

ID ，漏极电流（ AMPS ）

TJ = 25℃

TMB / C

100

120

140

VDS ，漏极 - 源极电压（伏）

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

D 25 C

= F （T

） ;条件： V

≥

10 V

图5 。典型的输出特性。

= F（V

） ;参数V

PHP4N40

VGS = 7 V

TJ = 25℃

10 V

100

ID ，漏极电流（ AMPS ）

PHP4N40

RDS （ ON），漏源导通电阻（欧姆）

4.5 V

5.5 V

6.5 V

/ ID

TP = 10我们

100美

1毫秒

10毫秒

0.1

100

1000

VDS ，漏极 - 源极电压（伏）

10000

ID ，漏极电流（ AMPS ）

如图3所示。安全工作区。牛逼

= 25 C

＆放大器;我

= F（V

); I

单脉冲;参数t

图6 。典型通态电阻。

DS （ ON）

= F（我

） ;参数V

1998年12月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

额定雪崩能量

PHP4N40E ， PHB4N40E

ID ，漏极电流（ AMPS ）

VDS > （内径）× RDS （ ON）最大值

PHP4N40

VGS （ TO ） / V

马克斯。

TJ = 25℃

分钟。

典型值。

TJ = 150℃

VGS ，栅源电压（伏）

-60

-40

-20

TJ / C

100

120

140

图7 。典型的传输特性。

= F（V

） ;参数T

政府飞行服务队，跨导（ S）

VDS > （内径）× RDS （ ON）最大值

TJ = 25℃

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 0.25毫安; V

= V

ID / A

亚阈值传导

PHP4N40

1E-01

1E-02

150 C

1E-03

典型值

98 %

1E-04

1E-05

1E-06

ID ，漏电流（ A）

VGS / V

图8 。典型的跨导。

= F（我

） ;参数T

归一化的RDS（ON ） = F （TJ）

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

结电容（PF ）

西塞

PHP4N40

1000

100

科斯

CRSS

-60

-40

-20

40 60

TJ / C

100 120 140

100

VDS ，漏极 - 源极电压（伏）

1000

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

DS （ ON） 25 C

= F （T

); I

= 2.2 ; V

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

1998年12月

启1.200