飞利浦半导体
PHP20N06T ; PHB20N06T
N沟道的TrenchMOS 晶体管
25
ID
(A)
?? ！ === ？ " “
10
VGS
!=== #
20
(V)
VDD = 44 V
8
VDD = 14 V
15
6
10
4
5
TJ = 175摄氏度
TJ = 25℃
2
0
0
2
4
6
8
10
VGS （ V）
0
0
5
10
QG （ NC ）
15
V
DS
= 25 V
T
j
= 25
°C;
I
D
= 25 A
图13.传输特性：漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型值。
120
IS
(A)
100
图14栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值。
!=== #
80
60
TJ = 175摄氏度
TJ = 25℃
40
20
0
0
0.5
1.0
1.5
VSD （V）的
2.0
V
GS
= 0 V
图15.来源（二极管的正向）电流源极 - 漏极（二极管的正向）的电压的函数;典型值。
9397 750 07894
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2001年2月22日
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