PHP20N06T ; PHB20N06T
N沟道的TrenchMOS 晶体管
版本01 - 2001年2月22日
产品speci fi cation
1.描述
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PHP20N06T在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB20N06T在SOT404
(D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
极低的通态电阻
s
快速切换。
3.应用
s
开关电源
s
DC到DC转换器。
c
4.管脚信息
c
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
[1]
mb
d
g
s
2
MBK106
MBB076
1
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
1.
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
PHP20N06T ; PHB20N06T
N沟道的TrenchMOS 晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
o
C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
64
75
150
典型值
最大
55
20.3
62
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
m
m
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 11 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
55
55
最大
55
55
±20
20.3
14.3
81
62
+175
+175
20.3
81
30.3
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
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N沟道的TrenchMOS 晶体管
120
PDER
(%)
100
03aa16
03aa24
120
I
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB （℃ ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
?? ！ === ？ " ！
102
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
10
P
100美
δ
=
tp
T
特区
1毫秒
10毫秒
1
tp
t
T
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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N沟道的TrenchMOS 晶体管
7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404
包
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
图4
价值
60
50
单位
K / W
K / W
2.4
K / W
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
003aaa044
0.1
0.05
10-1
P
δ
=
tp
T
0.02
单脉冲
tp
T
t
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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PHP20N06T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
牧师02 - 2009年11月27日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于高频
由于快速开关应用
特征
1.3应用
的DC- DC转换器
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
科幻gure 3
和
1
T
mb
= 25°C ;见
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
55
20.3
62
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 44 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
T
j
= 175 °C;
SEE
图11
和
12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
T
j
= 25 °C;
SEE
图11
和
12
-
6
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
-
150
m
-
64
75
m
恩智浦半导体
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N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PHP20N06T
TO-220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
TO-220AB
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
和
1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
R
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
55
55
20
14.3
20.3
81
62
175
175
20.3
81
30.3
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 11 A; V
SUP
≤
55 V;
漏源雪崩
GS
= 50
;
松开
能源
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产品数据表
牧师02 - 2009年11月27日
2 12
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