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飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PSMN030-150P
归一化功率降额， PD （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
1
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P
D
D = TP / T
0.01
单脉冲
tp
T
0.001
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
归一化电流降额， ID （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
D
雨电流， ID （ A）
TJ = 25℃
VGS = 10 V
6V
8V
5.4 V
5.2 V
5V
4.8 V
4.6 V
4.4 V
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.6
1.8
2
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
)
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
1000
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
RDS （ ON）= VDS / ID
0.07
0.06
0.05
100美
0.04
0.03
0.02
0.01
0
1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
1000
0
5
10
15
20
25
30
漏极电流ID （ A）
35
40
45
50
8V
5.4 V
6V
VGS = 10V
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
4.4 V
4.6 V
V
4.8 V
5V
5.2 V
TJ = 25℃
100
TP = 10我们
10
特区
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（V
GS
)
2000年6月
4
启1.000
