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飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
特点
“海沟”
技术
极低的通态电阻
快速开关
低热阻
g
PSMN030-150P
快速参考数据
d
符号
V
DSS
= 150 V
I
D
= 55.5 A
R
DS （ ON）
≤
30 m
s
概述
SiliconMAX
产品采用了飞利浦最新的Trench技术，实现最低的通态电阻
每个包在每个电压等级。
应用： -
直流以直流转换器
开关模式电源
该PSMN030-150P是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
来源
漏
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
1 23
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
150
150
±
20
55.5
39
222
250
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
2000年6月
1
启1.000
