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28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A
表3中。
模式
读阵列
输出禁用
待机
巴士业务
笔记
4,5,6
RP ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
6,10,11
V
IH
CE
0,1,2(1)
启用
启用
残
X
启用
启用
启用
启用
启用
OE ＃
(2)
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
WE＃
(2)
V
IH
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
地址
X
X
X
X
SEE
图5
SEE
表7
X
X
X
V
笔
X
X
X
X
X
X
X
X
V
金边
DQ
(3)
D
OUT
高Z
高Z
高Z
注8
注9
D
OUT
DQ
7
= D
OUT
DQ
15–8
=高阻
DQ
6–0
=高阻
D
IN
X
STS
（默认
模式）
高Z
(7)
X
X
高Z
(7)
高Z
(7)
高Z
(7)
复位/掉电
模式
读取识别码
阅读查询
读状态（ WSM关闭）
读状态（WSM上）
写
注意事项：
1.见
表2
为有效CE配置。
2. OE ＃和WE ＃绝不能同时启用。
3. DQ指的是DQ
0–
DQ
7
如果BYTE ＃为低， DQ
0–
DQ
15
如果BYTE ＃为高电平。
4.参考
直流特性。
当V
笔
≤
V
PENLK
，存储器的内容可以被读取，但不被改变。
5. X可以是V
IL
或V
IH
为控制和地址引脚和V
PENLK
或V
金边
对于V
笔
。看
DC特性
为
V
PENLK
和V
金边
电压。
6.在默认模式下， STS为V
OL
当WSM正在执行内部块擦除，编程或锁定位
配置算法。它是V
OH
当WSM不忙，块擦除暂停模式（
编程无效） ，程序挂起模式，或复位/掉电模式。
7.高Z将是V
OH
与外部上拉电阻。
8.查看
第3.6节
对于读取识别码数据。
9.见
第4.2节
用于读取查询数据。
10.Command涉及写道块擦除，编程或锁定位配置可靠地执行时， V
笔
=
V
金边
和V
CC
在规定范围内。
11.请参阅
表4
为有效D
IN
在写操作。
初步
11
