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28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A
3.1
读
信息可以从任何块，查询，识别码，或状态寄存器独立的读
在V
笔
电压。
在初始器件上电或复位时的/掉电模式退出后，设备会自动
重置读阵列模式。否则，编写相应的读模式命令（读阵列，读取
查询，读取识别码，或读状态寄存器）的崔。六个控制引脚决定了数据
流入和流出的组分：CE
0
，CE
1
，CE
2
， OE ＃ ， WE＃和RP ＃ 。该设备必须是
启用（见
表2中， “芯片使能真值表”第7页）
和OE ＃必须驱动为主动
得到的数据输出。 CE
0
，CE
1
和CE
2
在设备选择和控制，当启用
（见
表2） ，
选择存储设备。 OE＃为数据输出（DQ
0
-DQ
15
），并且当控制
活性，驱动所选择的存储器中的数据到I / O总线。 WE＃必须在V
IH
.
当读在读阵列模式，该设备默认为异步页模式信息。
此模式可提供高数据传输速率，存储器子系统。在该状态下，数据在内部
读出并存储在高速缓存器页。一
2:0
在页缓冲器中的地址数据。页面大小是
四个字或八个字节。异步字/字节模式支持，没有额外的
指令要求。
3.2
输出禁用
用OE ＃为逻辑高电平（V
IH
） ，该装置的输出被禁止。输出管脚DQ
0
-DQ
15
是
置于高阻抗状态。
3.3
待机
CE
0
，CE
1
和CE
2
可以禁用该设备（见
表2）
并将其放置在待机模式下其
大大降低设备的功耗。 DQ
0
-DQ
15
输出被放置在高
阻抗状态无关的OE ＃ 。如果在块擦除，编程或锁定位取消
配置方面， WSM将继续发挥作用，并消耗有功功率，直到操作
完成。
3.4
复位/掉电
RP ＃在V
IL
启动复位/掉电模式。
在读模式， RP ＃ - 低取消选择内存，并将输出驱动器处于高阻抗状态，
关闭众多的内部电路。 RP ＃必须保持为低电平最小的t
PLPH
。时间t
PHQV
is
直到最初的存储器访问输出有效期自复位模式返回后必需的。这种唤醒后
上升区间，恢复正常工作。崔复位读阵列模式和状态寄存器
设置为80H 。
在块擦除，编程或锁定位配置模式， RP ＃ - 低会中止操作。在
默认模式， STS转变为低，并保持低电平吨的最大时间
PLPH
+ t
PHRH
直到
复位操作完成。存储器中的内容被修改不再有效;该数据可以是
一个程序后，局部损坏或擦除或锁定位配置后局部改变。时间
t
PHWL
之后RP ＃需要变为逻辑高电平（V
IH
）另一个命令之前可以被写入。
8
初步
