TSM108
6.4 。 OVLO增加：
如果OVLO水平，需要增加（ OV2 ） ，一个
附加电阻器（ Rovl2 ）必须连接
之间OV和GND以下的方程。
u
OV = VREF （ Rovh / Rovl 1 ）
u
OV2 = VREF （ Rovh / （ Rovl // Rovl2 ） +1 ）
（ⅳ）
其中， Rovl // Rovl2意味着Rovl2是并行
到Rovl
求解四。我们得到：
u
Rovl2 = VREF X Rovh Rovl / （ OV2 X Rovl -
VREF ×（ Rovh + Rovl ） ）
作为一个例子，如果OV2需要被设置为40V，
Rovl2 = 87kΩ
7.待机模式
为了减少到最低限度的当前
该TSM108的消费不活跃时
阶段，在待机模式（ ！ TSM108的STBY引脚）
规定了P沟道的完整OFF状态
的MOSFET ，以及一个完全关断的
该TSM108的主要功能（操作
放大器， PWM产生器和振荡器，欠压锁定
和OVLO ），因此降低了
该TSM108到ISTBY值的消耗。
这！ STBY命令是TTL兼容，这
意味着，它可以直接从指令
什么逻辑信号。
8.电源晶体管：P - MOSFET或PNP
晶体管（
该TSM108会开车，有轻微的外
组分变化，无论是一个P沟道
的MOSFET或PNP型晶体管。的选择
晶体管是完全对用户的责任，
不过，这里遵循的几个元件，其
将有助于决定哪些是最适合
晶体管来根据应用驱动
在电力方面的特点和
表演。
下面的附图示出了两个不同的
TSM108的原理图，其中两个驾驶能力
示。第三个示意图显示了如何
当使用提高关减刑
双极PNP晶体管。
P- MOSFET ？ PNP晶体管？
Q1
D1
L1
GD
TSM108
Q1
D1
L1
GD
TSM108
最直接的方式，从一个选择
P沟道MOSFET或PNP型晶体管是
考虑的输出功率之间的比
应用程序和组件的预计价格：
较低的功率，更合适的PNP型
晶体管;功率越高，越
合适的P沟道MOSFET 。作为一个
例如，专为12V / 6V的直流/直流适配器，
建议的限制，从一个到选
其他位于200mA左右。
下面的200mA，的价格/性能比
PNP晶体管是非常有吸引力的，而上面
200mA时， P沟道MOSFET的开出
优势。
被动元素9.计算
让我们考虑一个如下特点
点烟器蜂窝手机电池充电器：
输入电压= 12V - 转换器的输入电压
输出电压= 6V - 转换器的输出电压
F = 100kHz的 - 变换器的开关频率
可调节外部电容
IOUT = 625毫安 - 输出电流限制
9.1 。感应器
最小电感值的选择应
适用于
lmin工= （ 1 - D） R / 2F
其中R = VOUT / IOUT = 9.6Ω
而其中D = VOUT / VIN = 0.5
因此， Lmin时= 24μH 。
MOSFET P
Q1
D1
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GD
TSM108
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