TSM108
获得电气之间的最佳平衡
噪声，以及在过滤自我大小。
一个外部电容器被连接在
地面和TSM108的OSC引脚设置
开关频率。
PWM功能的最大占空比
不限于95％ ，以确保安全驾驶
在MOSFET 。
5.栅极驱动器
栅极驱动阶段，直接从指挥
PWM输出信号。栅极驱动级是一个
推拉式MOSFET级负有不同的开
为了电阻，以确保一个更慢开启
比关断P沟道MOSFET的。该
输出门极驱动电流值给出
通过ISINK （开关）和ISOURCE （开关OFF） 。
栅极驱动阶段，蕴藏着一个集成的电压
夹紧，以防止在P沟道MOSFET
门被驱动用的电压高于15V
（像个Vcc和广东之间的齐纳二极管
（栅极驱动器）引脚。
6.在欠压锁定，过压保护
锁定
在UVLO和OVLO安全功能瞄准
全球应用的安全性。
当电源下降，有
固有风险来驱动P沟道MOSFET与
栅极电压不足，因此导致了
MOSFET的线性操作，并且其
破坏。
在UVLO是输入电源电压
检测其中规定了完整的开关OFF
所述P沟道MOSFET的只要电源
供应减少紫外线之下。以避免不必要的
MOSFET的振荡，固定滞后
保证金集成（ UVhyst ） 。
UVLO的内部程序，以确保8V分钟
和9V最大，但是中间点的集成的
电阻电桥是方便和的值
UVLO因此，通过加入一个可调节
外部电阻器来修改所述桥比。该
电桥的电阻的典型值，给出
（ Ruvh ， Ruvl ） 。
当供电电源的增加，有
固有风险消散过多的传导
能量通过所述P沟道MOSFET ，并且
因此，导致其毁灭。
该OVLO是输入电源电压
检测其中规定了完整的开关OFF
所述P沟道MOSFET的只要电源
供应增加超过OV 。以避免不必要的
MOSFET的振荡，固定滞后
保证金集成（ OV
HYST
).
OVLO内部程序，以确保32V
分钟。和33V最大值，但是中间点的
集成电阻桥是访问和
在OVLO的价值，因此通过调节
增加一个外部电阻器来修改桥
比。
电桥的电阻的典型值都给出
(R
OVH
, R
OVL
).
示例：
让我们假设的内部设定值
UVLO和/或OVLO水平应在被修改
具体
应用程序，
or
下
具体
要求。
6.1 。 UVLO下降：
如果UVLO水平需要降低（欠电压） ，一
附加电阻器（ Ruvh1 ）必须连接
紫外线和Vcc的跟随式的：
u
UV = VREF （ Ruvh / Ruvl 1 ）
u
UV1 = VREF （ （ Ruvh // Ruvh1 ） / Ruvl 1 ）
(i)
其中， Ruvh // Ruvh1意味着Ruvh1是
平行Ruvh
解我。我们得到：
u
Ruvh1 = Ruvl X Ruvh （ UV1 - Vref的） / （VREF X
Ruvh - Ruvl （ UV1 - Vref的） ）
作为一个例子，如果欠电压需要被设定为6V，
Ruvh1 = 256kΩ
6.2 。 UVLO上升：
如果UVLO水平有待提高（ UV2 ） ，一
附加电阻器（ Ruvl2 ）必须连接
之间的UV和GND以下的方程。
u
UV = VREF （ Ruvh / Ruvl 1 ）
u
UV1 = VREF （ Ruvh / （ Ruvl // Ruvl2 ） +1 ）
(ii)
其中， Ruvl // Ruvl2意味着Ruvl2是并行
到Ruvl
解决二。我们得到：
u
Ruvl2 = VREF X Ruvh Ruvl / （ UV2 X Ruvl -
VREF ×（ Ruvh + Ruvl ） ）
作为一个例子，如果UV2需要被设置为12V，
Ruvl2 = 132kΩ
6.3 。 OVLO下降：
如果OVLO水平需要降低（ OV 1 ） ，一个
附加电阻器（ Rovh1 ）必须连接
OV和下面的Vcc之间的等式：
u
OV = VREF （ Rovh / Rovl 1 ）
u
OV1 = VREF （ （ Rovh // Rovh1 ） / Rovl 1 ）
(iii)
其中， Rovh // Rovh1意味着Rovh1是
平行Rovh
解决三。我们得到：
u
Rovh1 = Rovl X Rovh （ OV1 - Vref的） / （VREF X
Rovh - Rovl （ OV1 - Vref的） ）
作为一个例子，如果过电压1需要被设置为25V，
Rovh1 = 867kΩ
7/13
