A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
低功耗ICC特性（ 32M ）
项
符号
TEST
V
IN
= V
CC
或0V ，
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
V
IN
= V
CC
或0V ，
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
V
IN
= V
CC
或0V ，
芯片ZZ模式，T
A
= 85
o
C
阵列分区
1/4阵列
1/2阵列
4MB的设备
8MB设备
典型值
最大
65
80
40
50
10
单位
A
A
A
A
A
PAR模式待机电流I
PAR
RMS模式待机电流I
RMSSB
深度睡眠电流
I
ZZ
地址样式PAR （ A3 = 0 ， A4 = 1 ） （ 16M ）
A2
0
0
x
1
1
A1
1
1
0
1
1
A0
1
0
0
1
0
活动部分
四分之一模具
一个半模的
全模
四分之一模具
一个半模的
地址空间
00000H - 地址0FFFFh
00000H - 7FFFFH
00000H - FFFFFh地址
C0000H - FFFFh时
80000h - 1FFFFFH
SIZE
256KB ×16
512KB ×16
1MB ×16
256KB ×16
512KB ×16
密度
4Mb
8Mb
162Mb
4Mb
8Mb
地址样式RMS （ A3 = 1 ， A4 = 1 ） （ 16M ）
A2
0
0
1
1
A1
1
1
1
1
A0
1
0
1
0
活动部分
四分之一模具
一个半模的
四分之一模具
一个半模的
地址空间
00000H - 地址0FFFFh
00000H - 7FFFFH
C0000H - FFFFFh地址
80000h - FFFFFh地址
SIZE
256KB ×16
512KB ×16
256KB ×16
512KB ×16
密度
4Mb
8Mb
4Mb
8Mb
低功耗ICC特性（ 16M ）
项
PAR模式待机电流
符号
I
PAR
TEST
V
IN
= V
CC
或0V ，
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
V
IN
= V
CC
或0V ，
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
V
IN
= V
CC
或0V ，
芯片ZZ ＃模式下，T
A
= 85
o
C
阵列分区
1/4阵列
1/2阵列
4MB的设备
8MB设备
典型值
最大
65
80
40
50
10
单位
A
RMS模式下待机电流
I
RMSSB
I
ZZ
A
深度睡眠电流
A
2004年6月8日pSRAM_Type01_12_A0
PSRAM类型1
193
