A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

擦除和编程性能.............. 163

引脚TSOP和BGA封装电容......... 163

图20.备用CE ＃控制的写（擦除/

程序）操作时序.............................................. 162

PSRAM 2型............................................... 0.164

功能................................................. ............... 164

产品信息............................................ 164

引脚说明................................................ ..... 164

上电顺序............................................. 165

时序图................................................ ... 166

上电............................................................................................................ 166

图21.上电1 （ CS1 ＃控制） ............................ 166

图22.上电2 （ CS2控制） .............................. 166

PSRAM类型6 ............................................... 0.174

功能................................................. ................

引脚说明................................................ .....

功能说明.........................................

绝对最大额定值................................

DC推荐工作条件

（ TA = -40 ° C至85°C ） ..................................... .......

DC特性（Ta = -40 ° C至85°C ，

VDD = 2.6 3.3 V ） （见注3 4 ） ................

电容（ TA = 25 ° C，F = 1兆赫） ....................

AC特性和工作

情况................................................. ............

图29.定时写周期的波形（ 3 ）

（ CS2控制） .............................................. ............... 173

图30.定时写周期的波形（ 4 ） （ UB ＃ ， LB ＃

控制） ................................................ ..................... 173

174

174

175

175

175

176

176

176

功能说明........................................ 166

................................. 167绝对最大额定值

DC推荐工作条件......... 167

电容（ TA = 25 ° C，F = 1兆赫） .................... 167

DC和工作特性..................... 167

交流工作条件................................... 169

常见.............................................................................................................. 167

16M PSRAM .........................................................................................................168

32M PSRAM ........................................................................................................168

64M PSRAM ........................................................................................................ 169

测试条件（测试负载和测试输入/输出参考） ....... 169

ACC特性（Ta = -40 ° C至85°C ，V

CC

= 2.7 3.1 V） ........ 170

图23.输出负载............................................. ........ 169

AC测试条件.............................................. 177

时序图................................................ ... 178

读时序.......................................................................................................178

写时序................................................ .................................................. 180 ..

图1.读周期............................................. ........... 178

图2页读周期（ 8个字访问） ....................... 179

图3.写周期＃ 1 （ WE＃控制） （见注8 ） ...... 180

图4.写周期＃ 2 （ CE ＃控制） （见注8 ） ....... 181

图5.深度掉电时序.................................... 181

图6.上电时序........................................... ..... 181

图7.阅读.............................................. .................. 182

（ TA = -40 ° C至85°C ， VDD = 2.6 3.3 V ） （见注5 11） ............ 176

时序图................................................ 171 ....

读时序....................................................................................................... 171

图24.时序读周期的波形（ 1 ） ...................... 171

图25.时序读周期的波形（ 2 ） ...................... 171

图26.时序读周期的波形（ 2 ） ...................... 171

图27.写周期＃ 1 （ WE＃控制） ........................ 172

图28.写周期＃ 2 （ CS1 ＃控制） ....................... 172

深度掉电时序............................................. ................................. 181

上电时序.............................................. .................................................. 181

地址偏移的规定.............................................. ............................. 182

读...................................................................................................................182

写.................................................................................................................182

写时序................................................ .................................................. 172 ..

修订摘要......................................... 183

图8.写.............................................. .................. 182

4

2004年27631A5 9月28日，