Si9122
V
CC
4
5.6
7, 8
V
IN
C2
1
mF
50 V
+ C1
15
mF
50 V
+ C4
15
mF
50 V
T1 1, 2
4
5.6
7, 8
1, 2, 3
Q6
1, 2, 3
Q5
C17
0.1
mF
Q7B
Q7A
4
6
1
3
1
5
5
D8
BAS19
T3
LEP-9080
4
3.3 V
3.3
W
R15
3.3
W
D5
3, 4
EPC19
5.6
7, 8
1000 pF的
C16
1000 pF的
30BQ040
D7
30BQ040
C22
47
mF
10 V
C23
47
mF
10 V
C24
47
mF
10 V
C32
10
mF
6.3 V
R17
NU
7, 8, 9
1, 2, 3
P4
3.3 V
1
15 A
P5
3
4
6
D9
C21
0.047
mF
25 V
3
T2
6
5
3
EP7
4
3
D10
2
1
V
CC
EP
BAV99
BAV99
2
1
1
Q10A
C19
4.7
mF
16 V
(1) 8
U03
LM7301
R19
3.9千瓦
LM4041CIM3-1.2
16
www.vishay.com
Vishay Siliconix公司
2
Si3552DV
3
R16
10
W
Si4886DY
Si4886DY
L
X
R13
15
W
800毫瓦
C20
680 pF的
100 V
7, 8
5, 6
D4
R14
11, 12
30BQ040
C15
9, 10
中的工作流程
文档编号： 71815
S- 41944 -REV 。女， 10月18日04
SRH
SRL
1
1, 2, 3
Q7
D6
MBR0520
C33
0.1
mF
C25
0.033
mF
R26
5.6千瓦
R18
300千瓦
U3
AD820
6
(5)
7
5
C26
0.1
mF
R20
20千瓦
(3)
3
2
(4)
R25
2千瓦
1
2
R21
51
W
1
3.3 V
TP1
1
R22
33千瓦
C5
1
mF
50 V
+ C6
15
mF
50 V
+ C7
15
mF
50 V
4
Si4886DY
5.6
7, 8
1, 2, 3
Q8
4
2
C18
0.1
mF
Si4886DY
Q10B
+
1
4
(2)
R23
18.6千瓦
P6
1
保护地
P7
1
C27
C28
1000 pF的0.1
mF
3
Si3552DV
5
6
5
R24
1兆瓦
U2
MOC207
保护地
1
2
7
C34, 0.1
mF
