DRAM
奥斯汀半导体公司
符号
t
RC
t
RWC
t
PC
t
PRWC
t
RASP
t
RAS
t
CAS
t
CP
t
RP
t
WP
t
ASC
t
ASR
t
DS
t
RCS
t
CWL
t
RWL
t
WCS
t
WSR
t
CAH
t
DHR
t
DH
t
AR
t
RAH
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WCR
t
WHR
t
OEH
t
ROH
t
AWD
t
CHR
t
CRP
t
CSH
t
企业社会责任
t
CWD
参数
周期时间，随机读取或写入
周期时间，读写
周期时间，页面模式读取或写入
周期时间，页面模式读写
脉冲持续时间，页面模式， RAS \\低
4
3
3
2
1
SMJ44400
-12
最大
时序要求
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
民
150
205
50
100
80
80
20
10
60
15
0
0
0
0
20
20
0
10
15
60
15
4
-8
最大
民
180
245
60
120
-10
最大
民
210
285
65
135
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
100000 100 100000 120 100000
10000
10000
100
25
10
70
20
0
0
0
0
25
25
0
10
20
75
20
75
15
0
0
20
75
10
25
25
80
20
0
100
10
60
10000
10000
120
30
15
80
25
0
0
0
0
30
30
0
10
20
90
25
90
15
0
0
25
90
10
30
30
90
25
0
120
10
70
10000
10000
脉冲持续时间， nonpage模式， RAS \\低
脉冲持续时间， CAS \\低
脉冲持续时间， CAS \\高
脉冲持续时间， RAS \\高（预充电）
脉冲持续时间，写
建立时间， CAS之前，列地址\\低
建立时间， RAS前行地址\\低
建立时间，数据
5
建立时间， CAS \\低前阅读
建立时间，W \\低CAS前\\高
建立时间，W \\低RAS前\\高
建立时间，W \\低CAS前\\低
（早 - 写操作只）
建立时间，W \\高（ CBR只刷新）
保持时间， CAS后，列地址\\低
RAS后保持时间，数据\\低
保持时间，数据
5
保持时间， CAS后，列地址\\低
保持时间，行地址后， RAS \\低
保持时间， CAS后读\\高
保持时间， RAS后读\\高
保持时间， CAS后写\\低
（早 - 写操作只）
保持时间，后写RAS \\低
保持时间， OE \\命令
保持时间， RAS \\参考OE \\
延迟时间，列地址为W \\低
（读写操作只）
延迟时间， RAS \\低到CAS \\高
（ CBR只刷新）
延迟时间CAS \\高到RAS \\低
延迟时间， RAS \\低到CAS \\高
延迟时间CAS \\低到RAS \\低
（ CBR只刷新）
延迟时间CAS \\低为W \\低
（读写操作只）
4
6
6
60
10
0
0
15
60
10
20
20
70
20
0
80
10
50
保持时间，W \\高（ CBR只刷新）
注意事项：
1.所有周期假设吨
T
=为5ns 。
2.为了保证吨
PC
分钟，T
ASC
应该是>吨
CP
.
3.在一个读 - 写周期，叔
RWD
和T
RWL
必须遵守。
4.在一个读 - 写周期，叔
CWD
和T
CWL
必须遵守。
5.参照中科院\\或W \\在写操作之后。
6.无论吨
RRH
或T
RCH
必须满足一个读周期。
SMJ44400
2.0版本10/01
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6
