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应用信息：继续
适合于输出capac-电容器类型
itors也可用于将输入电容器。
不过，应特别小心，当钽
电容器被考虑。钽电容器
著名的灾难性故障时，接触到
浪涌电流及输入电容很容易
当电源是CON-这样的浪涌电流
连接的“活” ，以低阻抗的电源。
MOSFET选择
的MOSFET相关的损失可以是
分为传导和开关损耗。
导通损耗都与导通电阻
的MOSFET ，并且增加了与负载电流。
发生在每一个开/关转换开关损耗
当MOSFET的体验兼具高电流
和电压。由于底部MOSFET开关
电流从/到一个并联的二极管（无论是它自己
体二极管或肖特基二极管）两端的电压
MOSFET导通时不超过1V以上时切换
过渡。其结果是，它的开关损耗是
可以忽略不计。的开关损耗是难以
由于量化所有影响开/变量
关闭时间。然而，下面的等式亲
志愿组织近似的开关损耗
与高端MOSFET的带动下相关
SP6137HV.
R
DS （ ON）
=漏极至源极导通电阻。
高端MOSFET的总功率损耗的
总和的开关损耗和传导损耗。对于同步
效率异步的降压转换器在90％以上，
允许不超过4 ％的功率损耗或高
低边MOSFET 。对于3.3V的输入电压
和5V ，导通损耗往往主宰开关
荷兰国际集团的损失。因此，降低了第r
DS （ ON）
的
的MOSFET甚至总是提高效率
虽然它产生了，由于较高的开关损耗
增加
C
RSS
.
顶部和底部MOSFET的体验不平等
导通损耗，如果他们的时间是不相等的。为
在或大或小的占空比运行的应用程序，它
有意义的使用不同的顶部和底部
的MOSFET。另外，多个并行
MOSFET，可进行大占空比。
R
DS （ ON）
变化很大的栅极驱动电压。
MOSFET的供应商通常指定
DS （ ON）
on
多栅 - 源电压（V
GS
） ，以及
提供的R典型曲线
DS （ ON）
与V
GS
。为
5V输入，使用R
DS （ ON）
在4.5V V指定
GS
。在
本标准出版时，销售商，如
飞兆半导体Siliconix公司和国际整流器，
已经开始指定
DS （ ON）
在V
GS
低于3V 。
这提供了必要的数据用于在设计
这些MOSFET的驱动3.3V和
造有可能使用SP6137HV在3.3V只
应用程序。
热工计算必须进行，以确保
MOSFET能够处理的最大负载电流
租。 MOSFET的结温，
按如下方式确定，必须留在马克西下方
妈妈的评级。
P
SH
（最大）
=
12
C
RSS
V
IN
（最大）
I
OUT
（最大）
F
S
哪里
C
RSS
=顶部的反向传输电容
MOSFET
需要被考虑为开关损耗
高开关频率，由于它们是直接
与开关频率成正比。该传导
顶部和底部的相关损失重刑
MOSFET是由下式确定：
P
CH
（最大）
=
R
DS
(
ON
)
I
OUT
（最大）
D
P
CL
（最大）
=
R
DS
(
ON
)
I
OUT
（最大）
(1
D
)
哪里
P
CH（ MAX）的
=高侧的导通损耗
MOSFET
P
CL（ MAX）的
=低压侧的导通损耗
MOSFET
日期： 04年5月25日
2
T
J
（MAX）
=
T
A
（最大）
+
哪里
P
MOSFET
（最大）
R
θ
JA
2
T
A（最大值）
=最大环境温度
PMOSFET （最大值）=最大功率耗散
MOSFET的化
R
Θ
JA
=结点至环境热阻。
R
Θ
JA
该设备的很大程度上取决于主板
2004年的Sipex公司
SP6137HV双电源，同步降压控制器
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