应用信息：继续
布局，以及器件封装。显著
热的改善可以在马克西实现
通过适当的设计妈妈功耗
的电路板上的铜的安装焊盘。为
例如，在一个SO- 8封装，将两个0.04
平方英寸的铜直接封装在垫
年龄，不占用额外的电路板空间，
可以增加从近似的最大功率
三方共同1至1.2W 。对于DPAK封装，放大
水龙头安装接盘1平方英寸降低
R
Θ
JA 96 ° C / W 40 ° C / W 。
肖特基二极管的选择
二极管等于输入电压，二极管
必须能够处理的峰值电流等于
的最大负载电流。
肖特基二极管的功率损耗是
由下式确定
P
二极管
= 2V
F
I
OUT
T
NOL
F
S
哪里
T
NOL
= GH和GL之间的非重叠时间。
V
F
=肖特基二极管的正向电压。
环路补偿设计
当底部MOSFET并联，一个
可选的肖特基二极管可以提高效率
并降低噪音。如果没有这种肖特基二极管
下面的MOSFET CON-的体二极管
管道中的非重叠时间的电流
当两个MOSFET都被关闭。不幸的
纳利，体二极管具有较高的正向电压
和反向恢复问题。相反的重新
体二极管的covery导致额外的
开关噪声，当二极管关断。该
肖特基二极管缓解这些噪音和额外
倚重提高了工作效率得益于它的低
正向电压。横跨反向电压
整个系统的开环增益可以是
分为所述误差放大器的增益，
PWM调制器，降压转换器的输出级，
和反馈电阻分压器。以交叉
过在所选择的频率FCO ，增益
误差放大器具有用于补偿
在此所引起的循环的其余部分的衰减
频率。
III型电压回路
赔偿金
G
AMP
（S ）增益模块
PWM级
G
PWM
收益
块
V
IN
V
RAMP_PP
输出级
G
OUT
（S ）增益
块
（ SR
ESR
C
OUT
+ 1)
[S^2LC
OUT
+ S （r
ESR
+R
DC
) C
OUT
+1]
V
REF
（伏）
+
_
(SRz2Cz2+1)(SR1Cz3+1)
SR1Cz2(SRz3Cz3+1)(SRz2Cp1+1)
V
OUT
（伏）
注：v
ESR
=输出电容的等效串联电阻。
R
DC
=输出电感的直流电阻。
V
RAMP_PP
= SP6132内部斜坡幅度峰 - 峰值电压。
条件： CZ2 >>器CP1 & R1 >> RZ3
输出负载电阻>>
ESR
＆放大器;
DC
电压反馈
G
FBK
增益模块
R
2
V
FBK
（伏）
(R
1
+ R
2
)
V
REF
V
OUT
or
SP6134电压模式控制环路与环路动态
日期： 04年5月25日
SP6137HV双电源，同步降压控制器
2004年的Sipex公司
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