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IS62VV25616LL
256K ×16低电压， 1.8V ULTRA
低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 70 ， 85 ， NS
CMOS低功耗运行
- 36毫瓦（典型值）的操作
- 9 μW （典型值） CMOS待机
单1.7V - 1.95V V
CC
电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
提供44引脚TSOP （ II型）和
48针微型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米）
ISSI
2001年11月
描述
该
ISSI
IS62VV25616LL是一个高速， 4194304位
静态RAM （16位）组织为262,144字。他们
使用的是制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
对于IS62VV25616LL ，当
CE
高（取消）
or
CE
低，都
LB
和
UB
高，设备
假设待机模式，在该功率耗散
可以用CMOS输入电平降低了下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS62VV25616LL打包在JEDEC标准
44针TSOP （ II型）和48针微型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2001年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/01/01
1
