IS62VV25616LL
256K ×16低电压， 1.8V ULTRA
低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 70 ， 85 ， NS
CMOS低功耗运行
- 36毫瓦（典型值）的操作
- 9 μW （典型值） CMOS待机
单1.7V - 1.95V V
CC
电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
提供44引脚TSOP （ II型）和
48针微型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米）
ISSI
2001年11月
描述
该
ISSI
IS62VV25616LL是一个高速， 4194304位
静态RAM （16位）组织为262,144字。他们
使用的是制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
对于IS62VV25616LL ，当
CE
高（取消）
or
CE
低，都
LB
和
UB
高，设备
假设待机模式，在该功率耗散
可以用CMOS输入电平降低了下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS62VV25616LL打包在JEDEC标准
44针TSOP （ II型）和48针微型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2001年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/01/01
1
IS62VV25616LL
销刀豆网络gurations
44针TSOP （ II型）
ISSI
48针微型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米）
1
2
3
4
5
6
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
A17
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VCC
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
VCC
GND
I / O
6
I / O
7
NC
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
LB
UB
NC
VCC
GND
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
H
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
H
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
SB1,
I
SB2
I
CC
写
I
CC
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本A
11/01/01
IS62VV25616LL
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
1.7V - 1.95V
1.7V - 1.95V
ISSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
V
CC
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
相关的Vcc与GND
储存温度
功耗
价值
-0.2 VCC + 0.3
-40至+85
-0.2到+2.3
-65到+150
1.0
单位
V
°C
V
°C
W
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件标明
在本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
分钟。
1.4
—
1.4
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.2
V
CC
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -1.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/01/01
3
IS62VV25616LL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0.4V至V
CC
- 0.2V
5纳秒
0.9V
参见图1和2
ISSI
AC测试负载
3070
1.8V
1.8V
3070
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
图1
图2
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本A
11/01/01
IS62VV25616LL
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
CC
1
I
SB
1
参数
测试条件
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-70
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
20
25
3
3
0.3
0.3
ISSI
-85
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
15
20
3
3
0.3
0.3
单位
mA
mA
mA
VCC动态工作V
CC
=最大，
电源电流
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
工作电源
当前
TTL待机电流
（ TTL输入）
OR
ULB控制
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时， F = 1 MH
Z
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
VCC =最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
I
SB
2
CMOS待机
V
CC
=最大，
电流（ CMOS输入）
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
OR
ULB控制
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
COM 。
IND 。
—
—
10
10
—
—
10
10
A
V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ;
UB
/
LB
= V
CC
– 0.2V
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
-70
分钟。
马克斯。
70
—
10
—
—
—
5
0
10
—
0
0
—
70
—
70
35
25
—
25
—
70
25
—
-85
分钟。
马克斯。
85
—
10
—
—
—
5
0
10
—
0
0
—
85
—
85
40
25
—
25
—
85
25
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2)
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时0.9V的参考电平， 0.4输入脉冲电平为1.4V和
在图1中指定的输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
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REV 。一
11/01/01
5
IS62VV25616LL
256K ×16低电压， 1.8V ULTRA
低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 70 ， 85 ， NS
CMOS低功耗运行
- 36毫瓦（典型值）的操作
- 9 μW （典型值） CMOS待机
单1.7V- 2.25 V
DD
电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
提供44引脚TSOP （ II型）和
48针微型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米）
ISSI
2002年8月
描述
该
ISSI
IS62VV25616LL是一个高速， 4194304位
静态RAM （16位）组织为262,144字。他们
使用的是制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
对于IS62VV25616LL ，当
CE
高（取消）
or
CE
低，都
LB
和
UB
高，设备
假设待机模式，在该功率耗散
可以用CMOS输入电平降低了下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS62VV25616LL打包在JEDEC标准
44针TSOP （ II型）和48针微型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
2002集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任
所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
公布的信息及订货产品之前。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
08/07/02
1
IS62VV25616LL
销刀豆网络gurations
44针TSOP （ II型）
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
A17
ISSI
48针微型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米）
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
LB
UB
NC
V
DD
GND
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
H
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
H
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
VDD电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
SB1,
I
SB2
I
CC
写
I
CC
2
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版本B
08/07/02
IS62VV25616LL
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
1.7V - 2.25V
1.7V - 2.25V
ISSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
相关VDD和GND
储存温度
功耗
价值
-0.2到V
DD
+0.25
-0.2到+2.5
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是
一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件的说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
分钟。
1.4
—
1.4
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.2
V
DD
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -1.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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1-800-379-4774
版本B
08/07/02
3
IS62VV25616LL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0.4V至V
DD
- 0.2V
5纳秒
0.9V
参见图1和2
ISSI
AC测试负载
3070
2.8V
2.8V
3070
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
图1
图2
4
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
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版本B
08/07/02
IS62VV25616LL
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
CC
1
I
SB
1
参数
测试条件
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-70
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
30
35
3
3
0.3
0.3
ISSI
-85
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
30
35
3
3
0.3
0.3
单位
mA
mA
mA
VDD动态工作V
DD
=最大，
电源电流
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
工作电源
当前
TTL待机电流
（ TTL输入）
OR
ULB控制
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时， F = 1 MH
Z
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
VDD =最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
I
SB
2
CMOS待机
V
DD
= 1.95V.,
电流（ CMOS输入）
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
OR
ULB控制
V
DD
= 1.95V.,
CE
= V
IL
COM 。
IND 。
—
—
10
10
—
—
10
10
A
V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ;
UB
/
LB
= V
DD
– 0.2V
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
-70
分钟。
马克斯。
70
—
10
—
—
—
5
0
10
—
0
0
—
70
—
70
35
25
—
25
—
70
25
—
-85
分钟。
马克斯。
85
—
10
—
—
—
5
0
10
—
0
0
—
85
—
85
40
25
—
25
—
85
25
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2)
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时0.9V的参考电平， 0.4输入脉冲电平为1.4V和
在图1中指定的输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
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版本B
08/07/02
5
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