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E
3.2.5
智能3高级启动块，字宽
3.2.5.1
暂停和恢复擦除
擦除模式
要擦除的块，写擦除设置和擦除
确认一个命令给崔，沿
地址识别该块被擦除。这
地址是内部锁存时擦除
确认命令发出。块擦除结果
在块内的所有的位被设定为“1 ” ，只有一个
块可以同时被擦除。
该WSM将执行下列顺序
内部定时事件：
1.程序块中的所有位为“ 0”。
2.确认块内所有的位都
充分地编程为“0”。
3.块内清除所有位为“ 1”。
4.确认块内所有的位都
充分擦除。
而擦除序列执行时，位的7
状态寄存器是一个“ 0”。
当状态寄存器指示擦除是
完成后，检查擦除状态位，以验证
擦除操作是成功的。如果擦除
手术很成功，地位SR.5
寄存器将被设置为“1 ”，表示一个擦除
失败。如果V
PP
不经过可接受的限度内
擦除确认命令发出后， WSM
将不执行擦除序列;相反， SR.5
的状态寄存器被设置为指示的擦除
错误，并SR.3被设置为“1” ，以确定使V
PP
电源电压是不能接受的限度内。
擦除操作后，清除状态寄存器
（ 50H ）尝试下一个操作之前。任何
崔指令可以按照擦除后是
完成;然而，为了防止意外的状态
寄存器读，最好是闪光灯复位到
读阵列后擦除完毕。
由于擦除操作需要的顺序
秒内完成，擦除挂起命令
被设置为允许擦除序列中断
为了读取数据或程序数据到另一个
方框中的存储器。一旦擦除序列
开始，书写擦除挂起命令的
该WSM暂停擦除崔请求
序列中的预定点的擦除
算法。状态寄存器将指示是否/何时
擦除操作已被暂停。
现在A读阵列/程序命令即可
写入到崔以便从/向读取/写入数据
块比被暂停等。该
节目
命令
可以
后来
be
暂停读取另一个阵列的位置。该
仅在擦除暂停有效的命令是
删除恢复，计划，程序恢复，读取
阵列，或读状态寄存器。
在擦除暂停模式下，芯片可以
通过采取CE＃以放置在一个伪待机模式
V
IH
。这减少了有源电流消耗。
删除恢复继续擦除序列时，
CE＃ = V
IL
。与标准擦除的端
操作时，状态寄存器必须被读出，并
清除下一个指令被发出之前。
3.2.5.2
V
PP
擦除过程中电源电压
V
PP
电源电压考虑事项中概述
第3.4节。
初步
19
