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智能3高级启动块，字宽
当WSM是活动的， SR.7将指示
在WSM的状态;在状态的剩余位
寄存器指示WSM是否被
成功地执行所需的操作（见
表7）。
3.2.3.1
清除状态寄存器
当编程完成后，程序
状态位应该进行检查。如果编程
手术很成功，状态位SR.4
寄存器被设置为指示一个程序失败。如果SR.3
被设置，那么V
PP
是不能接受的限度之内，并且
在WSM没有执行程序的命令。如果
SR.1被设置，程序操作尝试
锁定块和操作被中止。
状态寄存器前应清除
在尝试下一次操作。任何崔指令
可以按照程序完成后，
然而，为了防止意外的状态寄存器
读，一定要复位崔读阵列模式。
3.2.4.1
暂停和恢复
节目
E
WSM的设置状态位1到7为“ 1 ”，并
清除位2,6和7为“0 ”，但不能清除状态
比特1或3至5为“0 ”因为比特1 ，3，4和
5表示各种错误情况，这些位
仅可通过用于控制的CPU通过清除
使用清除状态寄存器（ 50H ）命令。
通过允许系统软件来控制
复位这些位中的，多个操作可以是
进行（如累积编程
多个地址或擦除多个块
读状态寄存器之前序列）
确定这一系列过程中发生了错误。
另一个开始前清除状态寄存器
命令或序列。请注意，再次，该读
阵列命令必须发出之前的数据可以
从存储器阵列读出。
3.2.4
编程模式
编程是使用双写执行
序列。程序设置命令（ 40H ）是
写入到崔后跟一个第二写入其中
指定的地址和数据进行编程。
该WSM将执行下列顺序
内部定时事件：
1.程序的处理所需要的位
内存。
2.验证所需的位是足够的
编程。
存储器的编程造成的特定位
内的地址位置被改变为“0”。如果
用户尝试编程“1” ，将不会有
的存储单元的内容，并没有误差变化
发生。
状态寄存器指示编程状态：
在程序顺序执行，位7
状态寄存器是一个“ 0 ”状态寄存器可
通过切换CE＃或OE ＃进行查询。而
编程，唯一有效的命令阅读
状态寄存器，程序挂起，并且计划
简历。
该计划暂停命令允许程序
悬浮液以读取在其他位置数据
的存储器。一旦编程过程开始时，
写程序挂起命令崔
该WSM中止程序请求
序（在预定点中的节目
算法）。该设备将继续输出状态
注册数据后，程序暂停命令
被写入。查询状态寄存器的位SR.7和SR.2
将确定当程序操作有
被暂停（两者都将被置为“1 ”）。
t
WHRH1
/t
EHRH1
指定程序暂停的等待时间。
A读阵列命令现在可以写入
CUI从块比其它读取的数据的哪
被暂停。唯一的其他有效的命令，
而节目暂停，正在读状态
注册和程序恢复。该程序后
重新开始命令写入到快闪存储器，
在WSM将继续与该程序的过程
和状态寄存器位SR.2和SR.7会
自动清零。该程序后
恢复命令写入，设备
自动输出状态寄存器的数据时，
阅读（见图8 ，程序挂起/恢复
流程图）。 V
PP
必须保持在相同的V
PP
水平
用于程序，而在程序挂起模式。
RP ＃还必须保持在V
IH 。
3.2.4.2
V
PP
在电源电压
节目
V
PP
电源电压考虑事项中概述
第3.4节
18
初步
