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256 - Mbit的J3 （ X8 / X16 ）
10.0
读操作
该器件支持四种类型的阅读模式：读阵列，读取识别，读取状态，而CFI
查询。上电后或回归从复位后，设备默认值读取阵列模式。要改变
器件的读取模式下，相应的读出模式的命令必须被写入到设备。 （见
第9.2节，第35页上的“设备指令” ）
SEE
第50页的第14.0节， “特殊模式”
为
关于读状态的详细信息，请阅读ID和CFI查询模式。
在初始器件上电或复位时的/掉电模式退出后，设备会自动
重置读阵列模式。否则，编写相应的读模式命令（读阵列，读取
查询，读取识别码，或读状态寄存器）的崔。六个控制信号决定了
进出组件的数据流： CE0 ， CE1，CE2， OE＃ ， WE＃ ，和RP ＃ 。该设备必须是
启用（见
表13 ， “芯片使能真值表”第33页）
和OE ＃必须驱动为主动
得到的数据输出。 CE0 ， CE1 ， CE2和在设备选择和控制，当启用
（见
表13） ，
选择存储设备。 OE＃为数据输出（D [ 15 ：0]）的控制，并且当
活性，驱动所选择的存储器中的数据到I / O总线。 WE＃必须在V
IH
.
10.1
读阵列
在初始器件上电和复位/掉电模式退出后，设备默认为
读阵列模式。设备默认为4个字的异步读取页模式。读阵列
命令还使器件进入读阵列模式。该装置仍处于启用状态的读取
直到另一个命令写入。如果内部WSM已经开始了块擦除，编程，或锁相
位配置，该设备将无法识别读取阵列命令，直到完成威丝曼
其操作除非WSM是通过擦除暂停或程序挂起命令。在读
阵列命令功能独立于V的
笔
电压。
10.1.1
异步页模式阅读
有两个异步页面模式的配置，可根据用户的
系统设计要求：
四Word页面模式：这是在上电或复位时的默认模式。阵列的数据可以是
感测到四个字（8字节）的时间。
八Word页面模式：数组数据可以检测多达8个字（16字节）的时间。这
模式必须上电启动或使用中发现的命令序列重置
表14 ，第35页上的“命令总线周期定义” 。
地址位A [ 3 ： 1 ]确定
哪个字是在读取操作期间输出和A [3：0 ]确定哪个字节是输出为一
X8总线宽度。
在初始接入的延迟后，第一个字从页缓冲器的对应的初始地址。
在四字页模式，地址位A [ 2 ： 1 ]确定哪些词是从页缓冲器输出
对于x16总线宽度， A [ 2 ： 0 ]确定哪些字节是从页缓冲器输出的总线X8
宽度。随后读取从设备来自页缓冲器。这些在读取输出
D [ 15：0]为x16总线宽度和D [7：0 ]为一个最小延迟时间后一个x8的总线宽度，只要A [2 ：0]的
（四Word页面模式）或A [ 3 ： 0 ] （八字的页面模式）是唯一发生更改的地址位。
数据可以从页缓冲器多次读取，并以任何顺序。在四字页模式，
如果地址位A [MAX ： 3 ] （ A [ MAX ： 4]八字的页面模式）的变化在任何时候，如果CE＃为
切换，该装置将感测和新的数据加载到页缓冲器。异步页模式是
默认读上电或复位模式。
数据表
37
