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256 - Mbit的J3 （ X8 / X16 ）
9.0
巴士业务
本节提供了设备的总线操作的概述。芯片上的写状态机
（ WSM ）管理所有擦除和编程算法。该系统的CPU提供了所有IN-控制
系统读，写，以及通过系统总线清除设备的操作。
设备命令写入CUI来控制所有的闪存设备的操作。
崔不占用可寻址的内存位置;它的机制，通过该
闪光装置是受控的。
9.1
总线操作概述
本地CPU读取和在系统写入闪存。所有的总线周期来或从闪速
内存符合标准的微处理器总线周期。
表12.公交车运营
模式
读阵列
输出禁用
待机
复位/掉电
模式
读取识别码
RP ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
CE [ 2：0]
(1)
启用
启用
残
X
启用
OE ＃
(2)
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
WE＃
(2)
V
IH
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
地址
X
X
X
X
SEE
表17
SEE
表
10.3
X
X
X
VPEN
X
X
X
X
X
数据
(3)
D
OUT
高Z
高Z
高Z
注8
STS
（默认
模式）
高Z
(7)
X
X
高Z
(7)
高Z
(7)
高Z
(7)
笔记
4,5,6
阅读查询
读状态（ WSM关闭）
读状态（WSM上）
写
启用
启用
启用
启用
X
X
X
V
金边
注9
D
OUT
D7 = D
OUT
D [ 15 ： 8] =高阻
D [ 6 ： 0 ] =高阻
D
IN
X
6,10,11
注意事项：
1.见
表13 33页
为有效CE配置。
2. OE ＃和WE ＃绝不能同时启用。
3. D表示D [ 7：0]如果BYTE ＃为低电平和D [15：0 ]如果BYTE ＃是高电平。
4.参考
直流特性。
当V
笔
≤
V
PENLK
，存储器的内容可以被读取，但不被改变。
5. X可以是V
IL
或V
IH
为控制和地址信号，且V
PENLK
或V
金边
对于V
笔
。看
DC特性
对于V
PENLK
和
V
金边
电压。
6.在默认模式下， STS为V
OL
当WSM正在执行内部块擦除，编程或锁定位配置算法。它
为V
OH
当WSM不忙，块擦除挂起模式（编程无效） ，程序挂起模式，或
复位/掉电模式。
7.高Z将是V
OH
与外部上拉电阻。
8.查看
10.2节，第39页上的“读取识别码”
对于读取识别码数据。
9.见
第10.3节，第41页的“阅读查询/ CFI ”
用于读取查询数据。
10.Command涉及写道块擦除，编程或锁定位配置可靠地执行时， V
笔
= V
金边
和V
CC
在规定范围内。
32
数据表
