飞利浦半导体
初步speci fi cation
对于镍镉电池和镍氢电池快速充电芯片
电池
TEA1103 ; TEA1103T ;
TEA1103TS
手册，全页宽
V（ DC ）
I
7 11.5 V
TR1 BD231
（ D2超过3个镍镉电池）
+
电池
R10
200 k
(1%)
（ RSUPPLY = 270
超过3镍镉电池）
R1
1 k
D1
LED
:4
:1
:4
:1
:4
:1
VS
GND
VS
GND
VS
GND
PWM
TR2
BC337
R3
180
AO
RFSH
LS
IB
15
18
10
14
17
2
3
GND
C4
220 pF的
（ FOSC =
75千赫）
R8
62 k
(0.5 A
快
负责）
OSC
19
VBAT
9
PTD
7
11
FCT
MTV
R7
镍镉/镍氢=
∞
5
16
VS
R2
1.5
k
VSL
13
12
VP
C3
100 nF的
4.25 V
R6
10 k
荚
6
8
NTC
C1
100
F
TEA1103
PSD
4
1
VSTB
镍镉电池
镍氢电池
3细胞
C5
470
F
20
RREF
C2 1.5 nF的
R9
100 k
(0.1%)
（ RB）
R4
5.1 k
（ 75毫安顶掉）
R5 0.22
RSENSE
电池
MBH546
图5线性应用示意图。
1999年1月27日
18
