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1999年1月27日
VI （ DC ）
7 18 V
TR1
BD231
L1
（仅适用于SMPS）
D8
R3
只有1.5千欧
VI （ DC ） >13V
R4 3.9千欧
D4
快
D5
NO-
电池
保护
:4
:1
33 k
R6
33 k
GND
R7
33 k
D6
D3
BAW62
C1
100
F
100%
:4
:1
R8
33 k
GND
R9
33 k
D6
刷新
:4
:1
R10
33 k
GND
R11
TR2
BC337
TR4
TIP110
SMPS模式
平板模式
AO
RFSH
PWM
15
19
VBAT
VS
PSD
4
VS
PTD
7
9
VS
荚
8
6
MTV
R20
16 k
11
FCT
T/t
和
V峰值
T/t
or
V峰值
VREG
P2
47 k
调整。
镍镉电池
镍氢电池
3/6/9细胞
NTC
R17 130千欧
VSL
LED
13
12
VP
VS
R24
80 k
(0.1%)
400
H
BYV28
R1
1
k
（仅适用于
多于
3细胞
D1
BYD74D
单身
多
LED
TR3
BC337
R15
270
C3为100 nF
5
16
4.25 V
R16
8.2 k
P1
TMAX
调整。
47 k
R21
15 k
R19
75 k
R18
24 k
R22
12 k
R5
750
NTC
10 k
(25
o
C)
D2
应用信息
飞利浦半导体
对于镍镉电池和镍氢电池快速充电芯片
电池
TEA1103
1
VSTB
负载
C5
470
F
100毫伏
100毫伏
(1) R14
=
-------------------或R14
=
-----------------------------如果不适用。
-
I
快
–
CH ARG ê
I
刷新
R14
×
I
顶部
–
关闭
(2) R13
=
------------------------------------
3
A
1.25
×
R13
(3) R23
=
----------------------------------------------
-
R14
×
I
快
–
CH ARG ê
手册，全页宽
17
R2
62
6 k
18
10
20
RREF
镍镉电池3
镍氢电池3
镍镉电池6
镍氢电池6
镍镉9
镍氢9
LS
刷新
C2
1.5 nF的
R12
0
（ RB）
14
17
OSC
R23
62 k
（ 1A快
负责）
(3)
IB
2
3
RSENSE
（ 1A刷新）
R14 0.1
(1)
GND
R13
(2)
5.1 k
（ 0.15A顶掉）
C4
220
pF
R25
40 k
(0.1%)
R26
8 k
(0.1%)
R27
8 k
(0.1%)
R28
10 k
(0.1%)
TEA1103 ; TEA1103T ;
TEA1103TS
MBH545
初步speci fi cation
图4基本试验板图。
