TISPPBL1D ， TISPPBL1P ， TISPPBL2D ， TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
1997年8月 - 修订1999年12月
脉冲发生器
一个Keytek ECAT E- Class系列100与E502激增的网络被用于测试。在E502产生
0.5 / 700的电压脉冲。这个特定的波形被用作它具有最快速率的电流上升（的di / dt ）的
常用的雷电浪涌波形的图。这最大限度地限制电压。图4
示出通过DUT的电流波前。为了产生± 20 A时， E502的峰值测试电流水平
充电电压设定为± 1960 V.图5示出了被测设备的电流的di / dt 。最初，眼波电流上升
60 A / μs的，这个速度则降低为峰值电流接近。在TISPPBLx V
（BO）
调理
的di / dt约为50 A / μs的。
限制电压等级
第五装置，测定在图3的测试电路的50个设备分别从5个一组由
设备来自10分开处理装置地段。图7示出的总的波形变化
晶闸管跨越50台设备限制电压。这表明，最大的峰值限制电压（击穿
电压，V
（BO）
）为-62 V， 12 V的过冲超出了-50 V闸基准电源，V
B
。的极限电压
超过了一个周期的栅极基准电源的电压电平（叔
（ BR ）
）约0.4微秒。
图9和图11示出了在设备的人口而言这两个波形参数。在图9中，在
限制电压示于超出栅极基准电源过冲的条件（Ⅴ
B
- V
（BO）
） 。删除
门的参考电压放大晶闸管限制电压变化，并显示数据
分层引起的示波器的数字化。外推的数据的趋势表明，过冲
小于14V时，在99.997 ％的水平（等于30ppm的超过14V时的人口，相当于4
正态分布的西格玛点）。在图11中，外推晶闸管数据趋势到99.997 ％的水平
表示最大击穿时间t
（ BR ）
， 0.5微秒。图12示出了将温度提高到
85°C增加了晶闸管峰值限制电压2.4％ ，给予最高85°C的峰值限制电压
1.024x （ -50-14 ） = -65.5五，工作在-40° C至85° C的温度范围内指定的TISPPBLx有
最大V
（BO）
-70 V值和故障时间t
（ BR ）
1微秒。
图8示出二极管在整个50个设备限制电压的总波形的变化。高峰
限制电压（峰值正向恢复电压V
FRM
）小于6伏，此值包括以下2 V
磁感应噪声的探针。图9示出了该外推的99.997 ％的水平是约5.5 V.在
图11 ，推算二极管的数据趋势， 99.997 ％的水平表示最大正向恢复
时间t
FR
， 0.1微秒。图12表明，有大约10％的隆起通过将温度提高到85℃ 。
这给了1.1倍（ 5.5 ） = 6.1 V ，最大85°C的峰值电压限制在-40° C至85° C的温度
范围内，则TISPPBLx被指定为具有最大V
FRM
8 V ，最大正向恢复值
1微秒的时间。
二极管不切换到像晶闸管低得多的电压，所以二极管限幅电压施加于整个
脉冲的持续时间。为1V或更低的正向电压通常被认为是安全的。图10示出了
最低电流为1V条件发生时，在-40 ℃下用0.3 A的电流。当TISPPBLx与测试
额定10/1000冲动，将需要大约8毫秒的电流从30 A衰减到0.3 A.在-40° C至
85 ℃的温度范围内， TISPPBLx被规定为具有V
F
低于10毫秒内1 V 。
SLIC保护要求
本节讨论的电压承受各种爱立信SLIC组件组的能力
并比较这些的TISPPBLx保护参数。所提供的实施例是为了提供
就如何TISPPBLx保护和具体的SLIC组件一起工作的设计师的信息。设计者应
始终遵循包含在SLIC数据手册的最新版本的电路设计建议。
温度范围
有些SLIC组件的额定0 ° C至70 ° C温度范围，别人-40 ° C至85°C操作。该TISPPBLx
保护被指定为-40 ° C至85°C的操作，因此涵盖了温度范围。
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