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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第756页 > TISPPBL1P
TISPPBL1D , TISPPBL1P , TISPPBL2D , TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
版权所有1999创新动力有限公司, UK
1997年8月 - 修订1999年12月
可编程过压保护爱立信组件
用户线接口电路SLIC组件
q
过电压保护器上市SLIC组件: -
SLIC §
PBL 3762A / 2
PBL 3762A / 4
PBL 3764A / 4
PBL 3764A / 6
PBL 3766
PBL六分之三千七百六十六
PBL 3767
PBL六分之三千七百六十七
PBL 3860A / 1
PBL 3860A / 6
PBL 386 10/2
PBL 386 11/2
PBL 386 14/2
PBL 386 15/2
PBL 386 20/2
PBL 386 21/2
PBL 386 30/2
PBL 386 40/2
PBL 386 50/2
PBL 386 61/2
PBL 386 65/2
PBL 387 10/1
TISPPBL1
TISPPBL2
( TOP VIEW )
!
!
!
!
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
!
!
& QUOT ;
& QUOT ;
!
!
!
!
!
!
!
< 55毫安
< 55毫安
!
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
( TIP )
K1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
K1 ( TIP)
A
A
(接地)
(接地)
(门)G
(环) K2
K2 (环)
MD6XANA
NC - 无内部连接
在显示终端的典型应用程序的名称
插入语
P包
( TOP VIEW )
( TIP )
K1
1
2
3
4
8
7
6
5
K1 ( TIP)
A
A
(接地)
(接地)
(门)G
NC
(环) K2
K2 (环)
MD6XAV
NC - 无内部连接
在显示终端的典型应用程序的名称
插入语
设备符号
K1
K1
A
G1,G2
A
§请参阅应用较早SLIC类型的信息。
使用TISPPBL2当编程线电流
上述55毫安
K2
K2
q
额定国际浪涌波形
波形
2/10 s
1.2/50 s
0.5/700 s
10/700 s
10/1000 s
标准
GR-1089-CORE
ITU -T K22
I3124
ITU -T K20 , K21
GR-1089-CORE
I
TSP
A
100
100
40
40
30
端子K1,K2和甲对应的替代
T, R和G或A,B和C线代号
负的保护电压由控制
电压,V
GG,
适用于G终端。
SD6XAEA
q
馈通连接包
- 程度减至最小感应电压接线
表面贴装和通孔订购
选项
器件代码
TISPPBLxD
TISPPBLxDR
TISPPBLxP
包装及载体类型
8引脚小外形的管
在磁带和缠绕的8引脚小外形
在地铁8引脚塑料DIP
q
q
规定冲击限制电压
- 电压 - 时间包络保证
- -40 ° C至85°C温度范围
UL认证, E132482
q
建议客户在下订单前获得的相关爱立信组件SLIC信息验证,最新的版本,
该信息被依靠的电流。
产品
信息
1
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TISPPBL1D , TISPPBL1P , TISPPBL2D , TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
1997年8月 - 修订1999年12月
描述
该TISPPBL1和TISPPBL2是双前锋,进行缓冲的P-门过电压保护。他们是
旨在保护爱立信组件的SLIC (用户线路接口电路)过电压
在雷电引起的,交流的电话线电源触点和归纳。该TISPPBLx限制电压
超出该SLIC供电轨电平。
在SLIC线驱动部分通常由一个负电压V
BAT
在-10 V至-85 V的区域
保护栅极连接到该负电源。此引用该保护(削波)的电压至
负电源电压。作为保护电压将跟踪负电源电压的过压应力
关于在SLIC被最小化。在TISPPBLx缓冲门设计,减少了对SLIC电源的负载
过电压引起的电源交叉和归纳。
正的过电压是由二极管正向导通剪切到地面。负过电压最初
限幅接近在SLIC负电源轨的值。如果有足够的电流可从过压,然后
该保护器将撬棍插入引用的通态条件下的低电压接地。由于过压
消退撬棍高保持电流防止直流闭锁。该TISPPBL1之间的差
和TISPPBL2是保持当前的最小值。该105毫安TISPPBL1可以锁上SLIC
编程线电流高达55 mA,并且150毫安TISPPBL2可以锁上所有编程的线路电流
值。
这些单芯片保护装置制作离子注入平面垂直权力结构的高
可靠性和系统正常运行他们几乎是透明的。该TISPPBLx提供8引脚
塑料小外形表面贴装封装和8引脚塑料双列直插式封装。
绝对最大额定值, -40°C
T
A
85 ℃(除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压,I
G
= 0
重复峰值门极 - 阴极电压,V
KA
= 0
非重复性峰值通态脉冲电流(见注1和2 )
10/1000微秒(符合Bellcore GR -1089 -CORE ,第2期, 1997年12月,第4节)
0.2 / 310微秒( I3124 ,开路电压波形0.5 / 700微秒)
三百一分之五微秒( ITU -T K20 K21 & ,开路电压波形10/700微秒)
1/20微秒(ITU-T K22 ,开路电压波形1.2 / 50微秒)
2/10微秒(符合Bellcore GR -1089 -CORE ,第2期, 1997年12月,第4节)
非重复性峰值通态电流, 50/60赫兹(见注1和2 )
100毫秒
1s
5s
300 s
900 s
非重复性峰值栅极电流,半微秒脉冲,阴极commoned (见注1 )
工作自由空气的温度范围内
结温
存储温度范围
I
GSM
T
A
T
J
T
英镑
I
TSM
11
4.5
2.4
0.95
0.93
40
-40至+85
-40到+150
-65到+150
A
°C
°C
°C
A
I
TSP
30
40
40
100
100
A
符号
V
DRM
V
GKRM
价值
-100
-90
单位
V
V
注: 1,最初的保护必须是热平衡与-40°C
T
J
85°C 。电涌可能会重复后,设备返回到
它的初始条件。
2.这些不重复的额定电流为任一极性的峰值。额定电流值可被涂在环向
地面或尖端接地端子对。此外,无论是终端对可能的额定电流值应用
同时(在这种情况下,接地端子的电流将是一个单个端子对的额定电流值的两倍) 。以上
85°C ,线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
产品
2
信息
TISPPBL1D , TISPPBL1P , TISPPBL2D , TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
1997年8月 - 修订1999年12月
推荐工作条件
见图18
C1
R1a
R1b
门去耦电容
串联电阻为GR -1089 -CORE第一级和第二级浪涌生存
串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
串联电阻为ITU-T推荐K20 / 21
100
40
25
10
典型值
220
最大
单位
nF
电气特性, -40°C
T
A
85 ℃(除非另有说明)
参数
I
D
V
(BO)
t
( BR )
V
F
V
FRM
t
FR
I
H
I
I
GAT
FF-态电流
击穿电压
故障时间
正向电压
峰值正向恢复
电压
正向恢复时间
保持电流
门反向电流
门反向电流,
在国家
门反向电流,
I
GAF
I
GT
V
GT
C
AK
正向导通
状态
门极触发电流
门极触发电压
阳极 - 阴极摘
态电容
I
T
= -5 A,T
P( G)
20微秒,V
GG
= -50 V,T
A
= 25 °C
I
T
= -5 A,T
P( G)
20微秒,V
GG
= -50 V,T
A
= 25 °C
F = 1MHz时, V
d
= 1 V,I
G
= 0, T
A
= 25 °C
(见注3 )
V
D
= -3 V
V
D
= -50 V
5
2.5
110
60
mA
V
pF
pF
I
F
= 1 A,T
w
= 500微秒,V
GG
= -50 V,T
A
= 25 °C
-10
mA
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
测试条件
T
J
= -40 °C
T
J
= 85 °C
典型值
最大
-5
-50
-70
1
3
8
1
10000
TISPPBL1
TISPPBL2
T
J
= -40 °C
T
J
= 85 °C
-105
-150
-5
-50
-1
单位
A
A
V
s
V
V
s
mA
A
A
mA
I
T
= -20 A, 0.5 / 700发电机,图3测试电路(见图2 )
I
T
= -20 A, 0.5 / 700发电机,图3试验税务局局长
扣器(见图2 )
I
F
= 5 A,T
w
= 500 s
I
F
= 20 A, 0.5 / 700发电机,图3测试电路(参见图2)
I
F
= 20 A, 0.5 / 700发电机,图3测试
电路(参见图2)
I
T
= -1时,的di / dt = 1A / MS ,V
GG
= -50 V,
V
GG
= V
GKRM
, V
AK
= 0
I
T
= -0.5 A,T
w
= 500微秒,V
GG
= -50 V,T
A
= 25 °C
V
F
> 5 V
V
F
> 1 V
V
( BR )
< -50 V
3:这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θJA
结到自由空气的热阻
2
测试条件
P
合计
= 0.8 W,T
A
= 25 °C
5厘米, FR4 PCB
P包
典型值
最大
160
100
单位
° C / W
产品
信息
3
TISPPBL1D , TISPPBL1P , TISPPBL2D , TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
1997年8月 - 修订1999年12月
参数测量信息
PRINCIPAL端V - I特性
+i
I
FSP
(= |I
TSP
|)
我象限
前锋
传导
特征
GATE转移
特征
+i
K
I
FSM
(= |I
TSM
|)
I
F
V
F
V
GK ( BO )
V
GG
(电路V
B
)
V
D
I
D
I
GT
+v
-i
G
I
GAF
+i
G
I
F
-v
I
(BO)
I
S
I
H
V
T
I
T
I
TSM
I
G
I
GAT
I
T
V
(BO)
V
S
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PM6XAIB
I
K
-i
K
图1主要终端和GATE传热特性
保护器最大限制电压
vs
时间
10
5
0
电压 - V
1 s
10毫秒
时间
1 s
V
GG
= V
B
= -50 V
MAX V
FRM
= 8 V
-50
-60
-70
MAX V
(BO)
= -70 V
-80
PM6XALB
图2瞬态限量的TISPPBLx限制电压
产品
4
信息
TISPPBL1D , TISPPBL1P , TISPPBL2D , TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
1997年8月 - 修订1999年12月
参数测量信息
冲动
R1电流
50
I
T
, I
F
限制
电压
V
K
, V
F
Th4
DUT
( TISPPBLx )
Hi
S1
±1960 V
20 F
20 nF的
Lo
15
25
ECAT与E502 0.5 / 700 SURGE网络
的厚膜高R1 =一个部分
电压脉冲电阻网络
220 nF的
Th5
I
G
V
B
(V
GG
)
-50 V
AI6XBACB
图3测试电路测量限制电压的
E502 0.5 / 700 WAVEFRONT CURRENT
vs
时间
AI6XAY
20
的di / dt - 率波前电流上升 - A / μs的
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
时间 - 微秒
E502 0.5 / 700 WAVEFRONT的di / dt
vs
时间
AI6XAZ
我 - 波前电流 - 一个
15
10
5
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
时间 - 微秒
图4当前WAVEFRONT
图5 WAVEFRONT电流的di / dt
产品
信息
5
TISPPBL1D , TISPPBL1P , TISPPBL2D , TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
可编程过压保护爱立信组件
用户线接口电路SLIC组件
q
过电压保护器上市SLIC组件: -
SLIC §
PBL 3762A / 2
PBL 3762A / 4
PBL 3764A / 4
PBL 3764A / 6
PBL 3766
PBL六分之三千七百六十六
PBL 3767
PBL六分之三千七百六十七
PBL 3860A / 1
PBL 3860A / 6
PBL 386 10/2
PBL 386 11/2
PBL 386 14/2
PBL 386 15/2
PBL 386 20/2
PBL 386 21/2
PBL 386 30/2
PBL 386 40/2
PBL 386 50/2
PBL 386 61/2
PBL 386 65/2
PBL 387 10/1
TISPPBL1
TISPPBL2
( TOP VIEW )
ü
ü
ü
ü
ü
ü
< 55毫安
< 55毫安
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
ü
( TIP )
K1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
K1 ( TIP)
A
A
(接地)
(接地)
(门)G
(环) K2
K2 (环)
MD6XANA
NC - 无内部连接
在显示终端的典型应用程序的名称
插入语
P包
( TOP VIEW )
( TIP )
K1
1
2
3
4
8
7
6
5
K1 ( TIP)
A
A
(接地)
(接地)
(门)G
NC
(环) K2
K2 (环)
MD6XAV
NC - 无内部连接
在显示终端的典型应用程序的名称
插入语
设备符号
K1
K1
A
G1,G2
A
§请参阅应用较早SLIC类型的信息。
使用TISPPBL2当编程线电流
上述55毫安
K2
K2
q
额定国际浪涌波形
波形
2/10 s
1.2/50 s
0.5/700 s
10/700 s
10/1000 s
标准
GR-1089-CORE
ITU -T K22
I3124
ITU -T K20 , K21
GR-1089-CORE
I
TSP
A
100
100
40
40
30
端子K1,K2和甲对应的替代
T, R和G或A,B和C线代号
负的保护电压由控制
电压,V
GG,
适用于G终端。
SD6XAEA
q
馈通连接包
- 程度减至最小感应电压接线
表面贴装和通孔订购
选项
器件代码
TISPPBLxD
TISPPBLxDR
TISPPBLxP
包装及载体类型
8引脚小外形的管
在磁带和缠绕的8引脚小外形
在地铁8引脚塑料DIP
q
q
规定冲击限制电压
- 电压 - 时间包络保证
- -40 ° C至85°C温度范围
UL认证, E195925
q
建议客户在下订单前获得的相关爱立信组件SLIC信息验证,最新的版本,
该信息被依靠的电流。
产品
信息
1
1997年8月 - 修订2002年8月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
TISPPBL1D , TISPPBL1P , TISPPBL2D , TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
描述
该TISPPBL1和TISPPBL2是双前锋,进行缓冲的P-门过电压保护。他们是
旨在保护爱立信组件的SLIC (用户线路接口电路)过电压
在雷电引起的,交流的电话线电源触点和归纳。该TISPPBLx限制电压
超出该SLIC供电轨电平。
在SLIC线驱动部分通常由一个负电压V
BAT
在-10 V至-85 V的区域
保护栅极连接到该负电源。此引用该保护(削波)的电压至
负电源电压。作为保护电压将跟踪负电源电压的过压应力
关于在SLIC被最小化。在TISPPBLx缓冲门设计,减少了对SLIC电源的负载
过电压引起的电源交叉和归纳。
正的过电压是由二极管正向导通剪切到地面。负过电压最初
限幅接近在SLIC负电源轨的值。如果有足够的电流可从过压,然后
该保护器将撬棍插入引用的通态条件下的低电压接地。由于过压
消退撬棍高保持电流防止直流闭锁。该TISPPBL1之间的差
和TISPPBL2是保持当前的最小值。该105毫安TISPPBL1可以锁上SLIC
编程线电流高达55 mA,并且150毫安TISPPBL2可以锁上所有编程的线路电流
值。
这些单芯片保护装置制作离子注入平面垂直权力结构的高
可靠性和系统正常运行他们几乎是透明的。该TISPPBLx提供8引脚
塑料小外形表面贴装封装和8引脚塑料双列直插式封装。
绝对最大额定值, -40°C
T
A
85 ℃(除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压,I
G
= 0
重复峰值门极 - 阴极电压,V
KA
= 0
非重复性峰值通态脉冲电流(见注1和2 )
10/1000微秒(符合Bellcore GR -1089 -CORE ,第2期, 1997年12月,第4节)
0.2 / 310微秒( I3124 ,开路电压波形0.5 / 700微秒)
三百一分之五微秒( ITU -T K20 K21 & ,开路电压波形10/700微秒)
1/20微秒(ITU-T K22 ,开路电压波形1.2 / 50微秒)
2/10微秒(符合Bellcore GR -1089 -CORE ,第2期, 1997年12月,第4节)
非重复性峰值通态电流, 50/60赫兹(见注1和2 )
100毫秒
1s
5s
300 s
900 s
非重复性峰值栅极电流,半微秒脉冲,阴极commoned (见注1 )
工作自由空气的温度范围内
结温
存储温度范围
I
GSM
T
A
T
J
T
英镑
I
TSM
11
4.5
2.4
0.95
0.93
40
-40至+85
-40到+150
-65到+150
A
°C
°C
°C
A
I
TSP
30
40
40
100
100
A
符号
V
DRM
V
GKRM
价值
-100
-90
单位
V
V
注: 1,最初的保护必须是热平衡与-40°C
T
J
85°C 。电涌可能会重复后,设备返回到
它的初始条件。
2.这些不重复的额定电流为任一极性的峰值。额定电流值可被涂在环向
地面或尖端接地端子对。此外,无论是终端对可能的额定电流值应用
同时(在这种情况下,接地端子的电流将是一个单个端子对的额定电流值的两倍) 。以上
85°C ,线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
产品
2
信息
1997年8月 - 修订2002年8月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
TISPPBL1D , TISPPBL1P , TISPPBL2D , TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
推荐工作条件
见图18
C1
R1a
R1b
门去耦电容
串联电阻为GR -1089 -CORE第一级和第二级浪涌生存
串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
串联电阻为ITU-T推荐K20 / 21
100
40
25
10
典型值
220
最大
单位
nF
电气特性, -40°C
T
A
85 ℃(除非另有说明)
参数
I
D
V
(BO)
t
( BR )
V
F
V
FRM
t
FR
I
H
I
I
GAT
FF-态电流
击穿电压
故障时间
正向电压
峰值正向恢复
电压
正向恢复时间
保持电流
门反向电流
门反向电流,
在国家
门反向电流,
I
GAF
I
GT
V
GT
C
AK
正向导通
状态
门极触发电流
门极触发电压
阳极 - 阴极摘
态电容
I
T
= -5 A,T
P( G)
20微秒,V
GG
= -50 V,T
A
= 25 °C
I
T
= -5 A,T
P( G)
20微秒,V
GG
= -50 V,T
A
= 25 °C
F = 1MHz时, V
d
= 1 V,I
G
= 0, T
A
= 25 °C
(见注3 )
V
D
= -3 V
V
D
= -50 V
5
2.5
110
60
mA
V
pF
pF
I
F
= 1 A,T
w
= 500微秒,V
GG
= -50 V,T
A
= 25 °C
-10
mA
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
测试条件
T
J
= -40 °C
T
J
= 85 °C
典型值
最大
-5
-50
-70
1
3
8
1
10000
TISPPBL1
TISPPBL2
T
J
= -40 °C
T
J
= 85 °C
-105
-150
-5
-50
-1
单位
A
A
V
s
V
V
s
mA
A
A
mA
I
T
= -20 A, 0.5 / 700发电机,图3测试电路(见图2 )
I
T
= -20 A, 0.5 / 700发电机,图3试验税务局局长
扣器(见图2 )
I
F
= 5 A,T
w
= 500 s
I
F
= 20 A, 0.5 / 700发电机,图3测试电路(参见图2)
I
F
= 20 A, 0.5 / 700发电机,图3测试
电路(参见图2)
I
T
= -1时,的di / dt = 1A / MS ,V
GG
= -50 V,
V
GG
= V
GKRM
, V
AK
= 0
I
T
= -0.5 A,T
w
= 500微秒,V
GG
= -50 V,T
A
= 25 °C
V
F
> 5 V
V
F
> 1 V
V
( BR )
< -50 V
3:这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
测试条件
P
合计
= 0.8 W,T
A
= 25 °C
5厘米
2
, FR4 PCB
P包
典型值
最大
160
100
单位
° C / W
产品
信息
3
1997年8月 - 修订2002年8月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
TISPPBL1D , TISPPBL1P , TISPPBL2D , TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
参数测量信息
PRINCIPAL端V - I特性
+i
I
FSP
(= |I
TSP
|)
我象限
前锋
传导
特征
GATE转移
特征
+i
K
I
FSM
(= |I
TSM
|)
I
F
V
F
V
GK ( BO )
V
GG
(电路V
B
)
I
F
-v
V
D
I
D
I
GT
+v
-i
G
I
GAF
+i
G
I
(BO)
I
S
I
H
V
T
I
T
I
TSM
I
G
I
GAT
I
T
V
(BO)
V
S
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PM6XAIB
I
K
-i
K
图1主要终端和GATE传热特性
保护器最大限制电压
vs
时间
10
5
0
电压 - V
1 s
10毫秒
时间
1 s
V
GG
= V
B
= -50 V
MAX V
FRM
= 8 V
-50
-60
-70
MAX V
(BO)
= -70 V
-80
PM6XALB
图2瞬态限量的TISPPBLx限制电压
产品
4
信息
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特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
TISPPBL1D , TISPPBL1P , TISPPBL2D , TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
参数测量信息
冲动
R1电流
50
I
T
, I
F
限制
电压
V
K
, V
F
Th4
DUT
( TISPPBLx )
Hi
S1
±1960 V
20 F
20 nF的
Lo
15
25
ECAT与E502 0.5 / 700 SURGE网络
的厚膜高R1 =一个部分
电压脉冲电阻网络
220 nF的
Th5
I
G
V
B
(V
GG
)
-50 V
AI6XBACB
图3测试电路测量限制电压的
E502 0.5 / 700 WAVEFRONT CURRENT
vs
时间
AI6XAY
80
的di / dt - 率波前电流上升 - A / μs的
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
时间 - 微秒
20
E502 0.5 / 700 WAVEFRONT的di / dt
vs
时间
AI6XAZ
我 - 波前电流 - 一个
15
10
5
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
时间 - 微秒
图4当前WAVEFRONT
图5 WAVEFRONT电流的di / dt
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信息
5
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