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TS13003B
高压NPN晶体管
引脚分配：
1.发射器
2.收集
3. BASE
BV
首席执行官
= 400V
BV
CBO
= 700V
IC = 1.5A
V
CE （SAT）
， = 0.8V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A
特点
高压
.
高速开关
订购信息
产品型号
TS13003BCT B0
TS13003BCT A3
填料
散装
弹药包
包
TO-92
TO-92
结构
硅三重扩散型。
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作结温
工作结存储温度范围
注： 1，单脉冲， PW = 300US ，职务< = 2 ％
DC
脉冲
P
D
T
J
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
极限
700V
400V
9
1.5
3
0.6
+150
- 55 + 150
单位
V
V
V
A
W
o
o
C
C
电气特性
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 10毫安，我
E
= 0
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
V
CB
= 700V ，我
E
= 0
V
EB
= 9V ，我
C
= 0
I
C
/ I
B
= 1.5A / 0.5A
I
C
/ I
B
= 0.5A / 0.1A
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.43A
V
CE
= 2V ，我
C
= 1.0A
V
CE
= 5V ，我
C
=为10uA
频率
输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.1A
V
CB
= 10V ， F =为0.1MHz
V
CC
= 125V ，我
C
= 1A,
I
B1
= 0.2A ，我
B2
= - 0.2A,
R
L
= 125ohm
f
T
COB
t
ON
t
英镑
t
f
h
FE
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(SAT)1
V
CE(SAT)2
700
400
9
--
--
--
--
23
8
6
4
21
1.1
4
0.7
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
10
3
0.8
40
40
40
兆赫
pF
uS
uS
uS
V
V
V
uA
uA
V
条件
符号
民
典型值
最大
单位
注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
TS13003B
1-3
2005/01转。一
