TS13003B
高压NPN晶体管
引脚分配:
1.发射器
2.收集
3. BASE
BV
首席执行官
= 400V
BV
CBO
= 700V
IC = 1.5A
V
CE (SAT)
, = 0.8V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A
特点
高压
.
高速开关
订购信息
产品型号
TS13003BCT B0
TS13003BCT A3
填料
散装
弹药包
包
TO-92
TO-92
结构
硅三重扩散型。
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作结温
工作结存储温度范围
注: 1,单脉冲, PW = 300US ,职务< = 2 %
DC
脉冲
P
D
T
J
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
极限
700V
400V
9
1.5
3
0.6
+150
- 55 + 150
单位
V
V
V
A
W
o
o
C
C
电气特性
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
I
C
= 10毫安,我
E
= 0
I
E
= 1mA时,我
C
= 0
V
CB
= 700V ,我
E
= 0
V
EB
= 9V ,我
C
= 0
I
C
/ I
B
= 1.5A / 0.5A
I
C
/ I
B
= 0.5A / 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.43A
V
CE
= 2V ,我
C
= 1.0A
V
CE
= 5V ,我
C
=为10uA
频率
输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.1A
V
CB
= 10V , F =为0.1MHz
V
CC
= 125V ,我
C
= 1A,
I
B1
= 0.2A ,我
B2
= - 0.2A,
R
L
= 125ohm
f
T
COB
t
ON
t
英镑
t
f
h
FE
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(SAT)1
V
CE(SAT)2
700
400
9
--
--
--
--
23
8
6
4
21
1.1
4
0.7
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
10
3
0.8
40
40
40
兆赫
pF
uS
uS
uS
V
V
V
uA
uA
V
条件
符号
民
典型值
最大
单位
注:脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
TS13003B
1-3
2005/01转。一
电气特性曲线
图1.静态Characteric
图2.直流电流增益
图3的Vce ( sat)的V.S. VBE (SAT)
图4.开关时间
图5.安全工作区
图6.功率降额
TS13003B
2-3
2005/01转。一
TS13003B
高压NPN晶体管
TO- 92机械制图
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
TO-92维
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
最大
4.30
4.70
0.169
0.185
4.30
4.70
0.169
0.185
14.30(typ)
0.563(typ)
0.43
0.49
0.017
0.019
2.19
2.81
0.086
0.111
3.30
3.70
0.130
0.146
2.42
2.66
0.095
0.105
0.37
0.43
0.015
0.017
1.10
1.30
0.043
0.051
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
( A =一月,
B =二月, C =月, D = APL, E =月, F =峻, G =七月, H =八月, I =九月,
J =月, K =月, L =月)
=月守则无卤产品
(O =月,
P =月, Q =月, R = APL, S =日, T =俊, U =月,V =月, W =月,
X =月, Y =月, Z =月)
L
- 批次编号
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版本: D07
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高压NPN晶体管
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