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应用信息
图。 11 :失真与VREFP
Fin=5MHz;Fs=20Mhz;Icca=26mA;INCM=0.46V
-70
-75
动态参数( dB)的
80
77
74
71
68
65
3
5
7
9
11 13
FS(兆赫)
15
17
19
ENOB
TSA1401
图。 13 :线性与财政司司长翅= 5MHz时,使用
TS4041
ICCA优化; VREFP = 1.225V ;
VREFM = GND ; INCM = 0.65V ,
12.1
12
11.9
SNR
SINAD
失真( DBC)
-80
-85
-90
-95
-100
0.8
0.9
1
1.1
REFP ( V)
1.2
1.3
1.4
SFDR
THD
11.7
11.6
11.5
11.4
11.3
11.2
11.1
21
外部基准电压装置可用于
对于需要更好的具体应用
线性度,精度或提高温度
行为。
采用意法半导体TS821 , TS4041-1.2
或TS431电压参考器件导致
当配置为最佳性能
所示
图12 。
满度增大到
2.5Vpp差分和SNR和SINAD是
增强,如图
图13
.
图。 12 :外部基准设定
1k
330pF的10nF电容4.7μF
REFMODE AVCC
VIN
VREFP
图。 14 :失真与财政司司长翅= 5MHz时,使用
TS4041
ICCA优化; VREFP = 1.225V ;
VREFM = GND ; INCM = 0.65V
-70
-75
失真( DBC)
-80
-85
THD
-90
-95
-100
3
5
7
9
SFDR
100
TS4041
TS821
11 13
FS(兆赫)
15
17
19
TSA1401
VINB
VREFM
参考
常见的模拟输入的幅度
模式, CM应贴近VREFP / 2 。更高
级将推出更多的失真。
在多信道应用中,高阻抗
引用输入允许开车几个
ADC的只有一个参考电压器件。
5.1.2 - 驾驶模拟输入
该TSA1401已被设计为
差分驱动更好的抗噪声能力。
一些测量,已经进行了
单端信号。它会降低一点点
表演,有-75dBc和的SFDR
ENOB为11.2位,在20Msps的鳍在10MHz 。
TSA1401的开关电容输入结构,
呈现高输入阻抗( 3.3kΩ的处
FS = 20MHz的),但在时间上不是恒定的(见
等效输入电路
图15)。
事实上,在
每次转换结束时,该充电更新
13/19
ENOB (比特)
11.8
21

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