数据表
MOS场效应
PA1758
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
本产品是双N沟道MOS场效应晶体管设计的电源管理应用程序
笔记本电脑，和锂离子电池的应用。
特点
双MOS场效应管芯片的小型封装
2.5 V门极驱动型低通态电阻
R
DS(on)1
= 30毫欧（最大值）（V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.0 A)
R
DS(on)2
= 40毫欧（最大值）（V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.0 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 1100， PF（ TYP 。 ）
内置G -S保护二极管
小型表面贴装封装（ SOP8电）
封装图（单位：mm ）
8
5
1 ;源1
2 ;门1
7，8 ;排水1
3 ;源2
4 ;门2
5 ，6;排水2
1
4
5.37最大。
+0.10
–0.05
6.0 ±0.3
4.4
0.8
0.15
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
1.8 MAX 。
1.44
0.05分钟。
0.5 ±0.2
0.10
1.27
0.40
0.78 MAX 。
0.12 M
PA1758G
+0.10
–0.05
绝对最大额定值（T
A
= 25 °C)
漏源极电压（V
GS
= 0)
门源电压（V
DS
= 0)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
Note2
等效电路
30
±12.0
±6.0
±24
1.7
2.0
150
-55到+ 150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
门
体
二极管
漏
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
总功率耗散（ 1个单位）
总功率耗散（ 2个）
通道温度
储存温度
门
保护
二极管
来源
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
2.
装在2000毫米× 1.1毫米陶瓷基板
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
2
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文档编号
D12911EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1998年10月NS CP （ K）
日本印刷
1998
