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数据表
MOS场效应
PA1758
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
本产品是双N沟道MOS场效应晶体管设计的电源管理应用程序
笔记本电脑，和锂离子电池的应用。
特点
双MOS场效应管芯片的小型封装
2.5 V门极驱动型低通态电阻
R
DS(on)1
= 30毫欧（最大值）（V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.0 A)
R
DS(on)2
= 40毫欧（最大值）（V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.0 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 1100， PF（ TYP 。 ）
内置G -S保护二极管
小型表面贴装封装（ SOP8电）
封装图（单位：mm ）
8
5
1 ;源1
2 ;门1
7，8 ;排水1
3 ;源2
4 ;门2
5 ，6;排水2
1
4
5.37最大。
+0.10
–0.05
6.0 ±0.3
4.4
0.8
0.15
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
1.8 MAX 。
1.44
0.05分钟。
0.5 ±0.2
0.10
1.27
0.40
0.78 MAX 。
0.12 M
PA1758G
+0.10
–0.05
绝对最大额定值（T
A
= 25 °C)
漏源极电压（V
GS
= 0)
门源电压（V
DS
= 0)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
Note2
等效电路
30
±12.0
±6.0
±24
1.7
2.0
150
-55到+ 150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
门
体
二极管
漏
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
总功率耗散（ 1个单位）
总功率耗散（ 2个）
通道温度
储存温度
门
保护
二极管
来源
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
2.
装在2000毫米× 1.1毫米陶瓷基板
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
2
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
文档编号
D12911EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1998年10月NS CP （ K）
日本印刷
1998
PA1758
电气特性（T
A
= 25 °C)
特征
漏极至源极导通电阻
符号
R
DS(on)1
R
DS(on)2
门源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
I
F
= 6.0 A，V
GS
= 0
I
D
= 6.0 A，V
DD
= 24 V, V
GS
= 4.0 V
I
D
= 3.0 A，V
GS （ ON）
= 4.0 V, V
DD
= 15 V
R
G
= 10
测试条件
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.5 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±12.0 V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
1100
370
170
50
190
550
490
15.0
2.0
6.5
0.8
0.5
5.0
分钟。
典型值。
20
25
0.8
13
10
±10
马克斯。
30
40
1.5
单位
m
m
V
S
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试电路1开关时间
D.U.T.
R
L
V
GS
V
GS
电波表
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
90 %
90 %
I
D
PG 。
R
G
R
G
= 10
0
I
D
10 %
V
GS （上）
90 %
R
L
V
DD
V
DD
50
V
GS
0
t
t = 1
s
占空比
≤
1 %
D
电波表
I
0
10 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
10 %
t
f
2
PA1758
典型特征（T
A
= 25 °C)
瞬态热阻与脉冲宽度
1 000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
10
1
0.1
0.01
0.001
安装在陶瓷
单脉冲
为2000mm基板
2
×
1.1mm
单脉冲， 1个单位
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
PW - 脉冲宽度 - S
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
正向转移导纳主场迎战
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
75
脉冲
|y
fs
| - 正向转移导纳 - S
100
T
A
=50C
T
A
=25C
T
A
=25C
10
V
DS
=10V
脉冲
50
I
D
=3 A
T
A
=75C
T
A
=125C
T
A
=150C
1
25
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
脉冲
70
60
50
40
30
20
10
0
1
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
门源截止电压主场迎战
通道温度
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
0
50
100
150
V
DS
=10 V
I
D
= 1毫安
10
I
D
- 漏电流 - 一个
100
T
ch
- 通道温度 - C
3
PA1758
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
源极到漏极二极管
正向电压
脉冲
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
40
V
GS
=2.5V
100
V
GS
=2.5V
10
30
20
V
GS
=4.5V
1
V
GS
=0V
10
I
D
= 3.0 A
50
0
50
100
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
0
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
10000
开关特性
1 000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
t
f
t
r
t
D（关闭）
t
D（上）
C
国际空间站
1000
C
OSS
100
100
C
RSS
10
10
0.1
1
10
100
1
0.1
V
DS
=15V
V
GS
=4V
R
G
=10
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
反向恢复时间对比
漏电流
1 000
t
rr
- 反向恢复二极管 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
= 4 V
30
V
DD
=24 V
V
DD
=15 V
V
DD
=6 V
V
GS
6
100
20
4
10
10
2
1
0.1
1
10
100
0
4
8
12
0
16
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
4
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
的di / dt = 100A /
s
V
GS
= 0
动态输入/输出特性
40
I
D
=6.0 A 8
PA1758
正向偏置的降额因子
安全工作区
总功耗对比
环境温度
P
T
- 总功率耗散 - W /包
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
20
40
60
80
100 120 140 160
2单元
1个单位
安装在陶瓷
基材
2000mm
2
×1.1mm
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
100
80
60
40
20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
A
- 环境温度 - C
T
A
- 环境温度 - C
正向偏置安全工作区
100
安装在陶瓷
基材
2
d
te
i
I
D（脉冲）
= 24一2000毫米
×1.1mm,
1个单位
IM V ）
Pw
L
n)
5
(o
=
4.
DS
1
S
=
R
G
m
Pw
s
10
(V
I
D（ DC） =
6 A
=
10
Pw
m
s
=
Po
10
we
0
m
rD
s
国际空间站
IPA
1
TIO
n
LIM
ITE
d
漏电流与
漏源极电压
脉冲
25
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
20
15
10
5
V
GS
=4.5 V
V
GS
=2.5 V
0.1
0.1
T
A
= 25 C
单脉冲
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS -
漏源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向传递特性
100
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
10
T
A
=150C
T
A
=125C
1 T
A
=75C
T
A
=25C
T
A
=25C
T
A
=50C
0.1
0
1
2
3
4
V
GS
-
门源电压 - V
5
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UPD70F3201YGC-8EU
UVR1J331MED
UPM0J152MDD
USV1C470MFD
UPD424256GX-70L
UPM1V152MDD
UC3316T-101
UPD424800LE-70L
UN6223
UCW1E220MCL
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA1758
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
UPA1758
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16+
80000
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