位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第196页 > FMG2G150US60E > FMG2G150US60E PDF资料 > FMG2G150US60E PDF资料1第6页
FMG2G150US60E
15
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
R
G
= 2.0
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
0
0
门 - 发射极电压，V
GE
[ V ]
12
共发射极
R
L
= 2
T
C
= 25℃
300 V
开关损耗[ UJ ]
10000
EOFF
9
200 V
6
V
CC
= 100 V
宙
1000
3
0
40
60
80
100
120
140
0
100
200
300
400
500
600
700
集电极电流，I
C
[A]
栅电荷QG [ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
1000
I
C
MAX 。 （脉冲）
I
C
MAX 。 （连续）
50us
1
100
100us
500
集电极电流，I
C
[A]
直流操作
10
集电极电流，I
C
[A]
100
10
1
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
linerarly与增长
温度
0.3
1
10
100
1000
安全工作区
V
GE
= 20V ，T
C
= 100 C
1
1
10
100
1000
o
0.1
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开，关闭的SOA特性
1000
1
热响应， Zthjc [
℃/W]
集电极电流，I
C
[A]
100
0.1
0.01
10
单非重复性
脉冲吨
J
≤
125℃
V
GE
= 15V
R
G
= 2.0
0
100
200
300
400
500
600
700
1E-3
T
C
= 25℃
IGBT ：
二极管：
10
-5
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
矩形脉冲持续时间（秒）
图17. RBSOA特性
2002仙童半导体公司
图18.瞬态热阻抗
FMG2G150US60E版本A
