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FMG2G150US60E
35000
30000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 150A
T
C
= 25 C
0
电容[ pF的]
25000
1000
T
C
= 125 C
0
吨
20000
开关时间[ NS ]
资本投资者入境计划
Tr
100
15000
10000
卓越中心
5000
CRES
0
0.5
10
1
10
30
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 150A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
0
0
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 150A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
0
0
花花公子
开关损耗[ UJ ]
1000
开关时间[ NS ]
宙
10000
EOFF
Tf
100
1000
1
10
栅极电阻，R
g
[
]
1
10
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
R
G
= 2.0
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
0
0
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
R
G
= 2.0
1000
吨
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
0
0
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
100
花花公子
Tf
花花公子
Tf
100
Tr
10
40
60
80
100
120
140
40
60
80
100
120
140
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2002仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
FMG2G150US60E版本A
