FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2005年1月
FDD8878 / FDU8878
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 40A ， 15MΩ
特点
r
DS （ ON）
= 15MΩ ，V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
r
DS （ ON）
= 18.5mΩ ，V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅电荷
高功率和电流处理能力
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
应用
DC / DC转换器
D
G
S
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
G
D
D- PAK
TO-252
(TO-252)
S
2005仙童半导体公司
FDD8878 / FDU8878牧师A3
www.fairchildsemi.com
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