FDD3570
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 9A
8
电容（pF）
40V
6
V
DS
= 10V
20V
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
60
C
国际空间站
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
1000
R
DS （ ON）
极限
100s
1ms
10ms
100ms
1s
1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θJA
= 96
o
C / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
o
图8.电容特性。
200
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
I
D
，漏电流（ A）
100
150
单脉冲
R
θJA
= 96 ° C / W
T
A
= 25°C
10
100
10s
DC
50
0.1
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，归一化有效TRANSIEN
热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θ
JA
（吨） = R（T） + R
θ
JA
R
θ
JA
= 96 ° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
0.001
0.0001
0.001
0.01
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDD3570版本A （ W）
