FDD3570
2000年2月
初步
FDD3570
80V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET一直
专门设计用于改善的总效率
利用DC / DC转换同步或
传统开关PWM控制器。
这种MOSFET的特性更快的切换和更低的栅极
改变比其他的MOSFET具有可比性
DS （ ON）
导致的DC / DC电源设计规格
具有较高的整体效率。
特点
10 A， 80 V.
R
DS （ ON）
= 0.019
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.022
@ V
GS
= 6 V.
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
D
G
S
TO-252
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
漏源电压
栅源电压
最大漏电流连续
最大漏极电流 - 脉冲
（注1 ）
（注1A ）
评级
80
±
20
43
10
110
o
单位
V
V
A
P
D
最大功率耗散@T
C
= 25 C
T
A
= 25 C
T
A
= 25 C
o
o
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
69
3.4
1.3
-55到+150
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结点到外壳
热阻，结点到环境
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
1.8
37
96
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD3570
设备
FDD3570
带尺寸
13’’
胶带宽度
16mm
QUANTITY
2500
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDD3570冯BW ）
