FDP5690/FDB5690
2000年7月
FDP5690/FDB5690
60V N沟道的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计专门
以提高直流/直流转换器的总效率
使用同步或传统开关PWM
控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的栅极
收费比其他的MOSFET具有可比性
DS （ ON）
导致的DC / DC电源设计规格
具有较高的整体效率。
特点
32 A， 60 V
DS （ ON）
= 0.027
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.032
@ V
GS
= 6 V.
??临界直流电气参数在指定的evevated
温度。
??坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除
无需外部稳压二极管瞬态抑制器。
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
.
?? 175°C最高结温额定值。
D
D
G
G
D
S
TO-220
FDP系列
G
S
T
C
= 25 ° C除非另有说明
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流
参数
FDP5690
60
±20
FDB5690
单位
V
V
A
W
W / ℃，
°C
- 连续
- 脉冲
32
100
58
0.4
-65到+175
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.6
62.5
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB5690
FDP5690
2000
仙童半导体国际
设备
FDB5690
FDP5690
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800
45
FDP5690 / FDB5690版本C
