【FDP5690/FDB56902000年7月FDP5690/FDB569060V N沟道的Power】,IC型号FDB5690,FDB5690 PDF资料,FDB5690经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDP5690/FDB5690

2000年7月

FDP5690/FDB5690

60V N沟道的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道MOSFET的设计专门

以提高直流/直流转换器的总效率

使用同步或传统开关PWM

控制器。

这些MOSFET的开关速度和更低的栅极

收费比其他的MOSFET具有可比性

DS （ ON）

导致的DC / DC电源设计规格

具有较高的整体效率。

特点

32 A， 60 V

DS （ ON）

= 0.027

@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 0.032

@ V

= 6 V.

??临界直流电气参数在指定的evevated

温度。

??坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除

无需外部稳压二极管瞬态抑制器。

高性能沟道技术极低

DS （ ON）

?? 175°C最高结温额定值。

TO-220

FDP系列

= 25 ° C除非另有说明

TO-263AB

FDB系列

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

最大漏极电流

参数

FDP5690

±20

FDB5690

单位

W / ℃，

°C

- 连续

- 脉冲

100

0.4

-65到+175

总功率耗散@ T

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结温范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

2.6

62.5

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDB5690

FDP5690

2000

仙童半导体国际

设备

FDB5690

FDP5690

带尺寸

13’’

管

胶带宽度

24mm

不适用

QUANTITY

800

FDP5690 / FDB5690版本C

FDP5690/FDB5690

电气特性

符号

参数

漏源雪崩额定值

DSS

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

(Note1)

民

典型值

最大

单位

单脉冲漏源

= 30 V，I

= 32A

雪崩能量

最大漏源雪崩电流

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，

前锋

门体漏电流，

反向

（注1 ）

= 0 V，I

= 250

A，参考25

= 48 V, V

= 0 V

= 20 V, V

= 0 V

= -20 V, V

= 0 V

100

-100

毫伏/

基本特征

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

= V

, I

= 250

A，参考25

= 10 V，I

= 16 A,

= 10 V，I

= 16 A，T

= 125

= 6 V，I

= 15 A

= 10 V, V

= 5 V

= 5 V，I

= 16 A

2.4

-6.4

0.021

0.042

0.024

毫伏/

0.027

0.055

0.032

D（上）

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注1 ）

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

1120

160

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 30 V，I

= 1 A,

= 10 V ，R

根

= 6

= 15 V,

= 16 A，V

= 10 V

3.9

6.8

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

= 0 V，I

= 16 A

电压

（注1 ）

0.92

1.2

注意：

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2.0%

FDP5690 / FDB5690版本C

FDP5690/FDB5690

典型特征

5.0V

，漏源电压（V ）

4.0V

4.5V

7.0V

6.0V

= 10V

，漏源电流（A ）

2.2

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.8

1.6

4.5V

1.4

1.2

0.8

，漏电流（ A）

5.0V

6.0V

7.0V

10V

= 4.0V

图1.区域特征。

2.2

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

-50

-25

100

125

150

175

，结温（

= 16A

= 10V

0.06

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

= 16A

0.05

= 125 C

0.04

0.03

0.02

= 25 C

0.01

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化

与温度。

= 5V

，漏电流（ A）

，门源电压（ V）

25 C

125 C

图4.导通电阻变化

同门 - 源电压。

100

，反向漏电流（ A）

= 0V

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

，体二极管正向电压（ V）

= 125 C

25 C

-55 C

= -55 C

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度。

FDP5690 / FDB5690版本C

FDP5690/FDB5690

典型特征

，栅源电压（V ）

= 16A

（续）

1600

= 10V

30V

20V

电容（pF）

1200

国际空间站

F = 1MHz的

= 0 V

800

400

OSS

RSS

，栅极电荷（ NC）

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

1000

图8.电容特性。

2500

单脉冲

θJC

= 2.6 C / W

TA = 25℃

漏电流（ A）

100

1ms

RDS （ ON）限制

10s

= 10V

单脉冲

= 2.3 C / W

= 25 C

2000

10ms

功率（W）的

100

100ms

1500

1000

500

0.1

，漏源电压（V ）

0.01

0.1

100

1000

单脉冲时间（ms）

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

瞬态热阻

R（T ），规范有效

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2

D = 0.5

（吨） = R （t）的R *

= 2.6 ° C / W

P（ PK）

0.1

0.05

0.02

单脉冲

0.03

0.01

0.02

0.01

- T

= P * R

JC （T ）

占空比D = T

0.1

，时间（ ms）的

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

FDP5690 / FDB5690版本C

TO- 220磁带和卷轴数据和封装尺寸

TO- 220包装管

CON组fi guration ：

造型玩具E 1.0

包装说明：

TO- 220零件PED船舶通常的管子。该管

由PVC塑料用抗-stati agent.These

在标准选项管被放置在一个内部耗散

塑料袋，条形码标签，并放置在一个盒子里

制成每可回收瓦楞纸PA的。一个框包含

2巴gs的最大值（参见图1.0）。和一个或多个华氏度

这些箱子被放在一个标记希普ING博X内

在怒江MBER不同尺寸dependi吴WHIC HC omes

部分船PED 。另一种选择自带散装

在Packagin G信息表中描述。该单位为s的

此选项被放置在一个小盒子奠定瓦特第i个抗

静电汽泡纸。这些更小的盒子是单独

标记和放置插件IDE较大框（见图3.0）。

这些较大的或中间框，然后将被放置

最后一个标记包装箱其中H仍然来自于内部

不同大小取决于运单位数。

45单位为s ，每管

每包12管

530毫米X 130毫米X 83毫米

中级盒

2袋秒每盒

香港专业教育学院的行为PLASTI C B股份公司

的TO-220封装

信息：

图2.0

TO- 220封装信息

包装选项

包装类型

每管/盒数量

箱尺寸（mm ）

每箱数量最多

每单位重量（克）

注/评论

标准

（没有F升流码）

FSCINT拉贝升SAMP乐

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

1080 UNI TS马克西妈妈

定量是每波X

S62Z

体积

300

LOT ：

CBVK741B019

数量：

HTB ： B

1080

NSID ：

FDP7060

产品规格：

铁路/地铁

530x130x83

1,080

1.4378

D / C1 ：

D9842

SPEC REV ：

QA REV ：

114x102x51

1,500

1.4378

FSCINT标签

（ FSCINT ）

TO- 220散包装

CON组fi guration ：

图3.0

FSCINT标签

安钛-为static

Bubbl ê片S

530毫米X 130毫米X 83毫米

中级盒

1500 UNI TS马克西妈妈

定量是每间箱

300个单位

EO70盒

114毫米X 102毫米X 51毫米

EO70 IMMED在Iate盒

5 EO70 boxe秒每元

中间体ediate博X

FSCINT标签

的TO-220管

CON组fi guration ：

图4.0

注：所有朦胧ensions都是以英寸为单位

0.123

+0.001

-0.003

0.165

0.080

0.450

±.030

1.300

±.015

0.032

±.003

0.275

9852

NDP4060L

9852

NDP4060L

9852

NDP4060L

9852

NDP4060L

9852

NDP4060L

9852

NDP4060L

9852

NDP4060L

9852

NDP4060L

9852

NDP4060L

9852

NDP4060L

9852

NDP4060L

9852

NDP4060L

0.160

20.000

+0.031

-0.065

0.800

0.275

1999年8月，版本B